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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 38A. Scarica 2N6764 datasheet de
General Electric Solid State		 pdf
116 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/3Å/60V/100v Di Alimentazione Della N-Scanalatura

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2N6763, 		Scarica 2N6764 datasheet de
Fairchild Semiconductor		 pdf
145 kb
Osservare tutti i fogli di dati per OmnirelN-channel modalità miglioramento transistore di potenza MOSFET

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
2N6766, 2N6768, 2N6770, JANTX2N6764, JANTX2N6766, 		Scarica 2N6764 datasheet de
Omnirel		 pdf
68 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF150, JANTXV2N6764, 		Scarica 2N6764 datasheet de
International Rectifier		 pdf
155 kb
2N6763Vista 2N6764 al nostro catalogo2N6765



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