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Osservare tutti i fogli di dati per ST MicroelectronicsN-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF630FP,
Scarica IRF630 datasheet de
ST Microelectronics
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349 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF633, IRF632, IRF631,
Scarica IRF630 datasheet de
General Electric Solid State
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167 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab Scarica IRF630 datasheet de
International Rectifier
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182 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMOSFETs Di Alimentazione 200V/Di 9A/0,400 Ohm/N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
RF1S630SM,
Scarica IRF630 datasheet de
Intersil
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67 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsN-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp Scarica IRF630 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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109 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Philipstransistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura Scarica IRF630 datasheet de
Philips
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103 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsN - MANICA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/fp Scarica IRF630 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
pdf
109 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild Semiconductor9A, 200V, 0,400 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura Scarica IRF630 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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134 kb
IRF624STRRVista IRF630 al nostro catalogoIRF630A



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