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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
10501M29W641DU90ZA1T Mbit 4Mb x16, Uniform Memory Block 3V Alimentazione FlashSGS Thomson Microelectronics
10502M29W641DU90ZA6E Mbit 4Mb x16, Uniform Memory Block 3V Alimentazione FlashSGS Thomson Microelectronics
10503M29W641DU90ZA6F Mbit 4Mb x16, Uniform Memory Block 3V Alimentazione FlashSGS Thomson Microelectronics
10504M29W641DU90ZA6T Mbit 4Mb x16, Uniform Memory Block 3V Alimentazione FlashSGS Thomson Microelectronics
10505M29W800ABmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 8 Mbit (1Mb x8 o 512Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaSGS Thomson Microelectronics
10506M29W800ABMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 8 MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLASGS Thomson Microelectronics
10507M29W800AB100M1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10508M29W800AB100M1TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10509M29W800AB100N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10510M29W800AB120M1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10511M29W800AB120N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10512M29W800AB120N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10513M29W800AB120N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10514M29W800AB80N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10515M29W800AB90M1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10516M29W800AB90N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10517M29W800AB90N1TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10518M29W800AB90N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10519M29W800AB90N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10520M29W800ATMEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 8 MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLASGS Thomson Microelectronics
10521M29W800ATmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 8 Mbit (1Mb x8 o 512Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaSGS Thomson Microelectronics
10522M29W800AT100N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10523M29W800AT120M1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10524M29W800AT120N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10525M29W800AT90M1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10526M29W800AT90M6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10527M29W800AT90N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10528M29W800AT90N1TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10529M29W800AT90N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10530M29W800AT90N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) BASSA TENSIONE SINGOLO RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10531M29W800BNON PER IL NUOVO DISEGNO - MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 8 MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLASGS Thomson Microelectronics
10532M29W800Bmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 8 Mbit (1Mb x8 o 512Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaSGS Thomson Microelectronics
10533M29W800DB8 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) 3CVSGS Thomson Microelectronics
10534M29W800DB70M6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10535M29W800DB70N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10536M29W800DB70N3TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10537M29W800DB70N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10538M29W800DB70N6EMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10539M29W800DB70N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10540M29W800DB90N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10541M29W800DB90N1TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10542M29W800DB90N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10543M29W800DT8 MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) 3CVSGS Thomson Microelectronics
10544M29W800DT70M6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10545M29W800DT70N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10546M29W800DT70N1TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10547M29W800DT70N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10548M29W800DT70N6EMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10549M29W800DT70N6TMBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10550M29W800DT90N1MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10551M29W800DT90N6MBIT (1MB X8 O 512KB X16, blocco di avvio) 3V RIFORNIMENTO DI MEMORIA FLASHSGS Thomson Microelectronics
10552M29W800TNON PER IL NUOVO DISEGNO - MEMORIA DELL'CIstantaneo DEL RIFORNIMENTO DI BASSA TENSIONE DI 8 MBIT (1MB X8 O 512KB X16, BLOCCHETTO DEL CARICAMENTO DEL SISTEMA) SINGOLASGS Thomson Microelectronics
10553M29W800Tmemoria dell'istantaneo del rifornimento di bassa tensione di 8 Mbit (1Mb x8 o 512Kb x16, blocchetto del caricamento del sistema) singolaSGS Thomson Microelectronics
10554M3004LAB1TRASMETTITORE DI TELECOMANDOSGS Thomson Microelectronics
10555M3004LAB1TRASMETTITORE DI TELECOMANDOSGS Thomson Microelectronics
10556M3004LDTRASMETTITORE DI TELECOMANDOSGS Thomson Microelectronics
10557M3004LDTRASMETTITORE DI TELECOMANDOSGS Thomson Microelectronics
10558M34116CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOSGS Thomson Microelectronics
10559M34116B1CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOSGS Thomson Microelectronics
10560M34116C1CIRCUITO DI CHIAMATA DI CONGRESSO DEL PCM E DELLA GENERAZIONE DI TONOSGS Thomson Microelectronics
10561M3488TABELLA di COMMUTAZIONE di 256 x di 256 DIGITALSGS Thomson Microelectronics
10562M3488B1TABELLA Di COMMUTAZIONE Di 256 X 256 DIFGITALSGS Thomson Microelectronics
10563M3488Q1TABELLA Di COMMUTAZIONE Di 256 X 256 DIFGITALSGS Thomson Microelectronics
10564M3493B1OS 12 X 8 CONTROLLO CROSSPOINTWITH MEMORIASGS Thomson Microelectronics
10565M3493B2Cmos 12 X INCROCIO 8 CON La MEMORIA Di CONTROLLOSGS Thomson Microelectronics
10566M3494(dd): -0.5 a 14V; V (in): -0.5 a +0.5 V; CMOS 16 x 8 punti d'incrocio con la memoria di controlloSGS Thomson Microelectronics
10567M3494B1(dd): -0.5 a +14 V; V (in): -0.5 a +0.5 V; 1W; CMOS 16 x 8 punti d'incrocio con la memoria di controlloSGS Thomson Microelectronics
10568M3494B2(dd): -0.5 a +14 V; V (in): -0.5 a +0.5 V; 1W; CMOS 16 x 8 punti d'incrocio con la memoria di controlloSGS Thomson Microelectronics
10569M34A022 KBIT SMBUS DI SERIE EEPROM PER LA CONFIGURAZIONE DELLA SCHEDA DEL ACRSGS Thomson Microelectronics



10570M34A02-V2 KBIT SMBUS DI SERIE EEPROM PER LA CONFIGURAZIONE DELLA SCHEDA DEL ACRSGS Thomson Microelectronics
10571M34C00UN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I2C PER Le Ee-modificheSGS Thomson Microelectronics
10572M34C00-WUN BUS BIT-seriale EEPROM Di 3 X 128 I2C PER Le Ee-modificheSGS Thomson Microelectronics
10573M34C02Il Bus Di serie EEPROM di IC Di 2 Kbit Per Presenza Di serie di DIMM RilevaSGS Thomson Microelectronics
10574M34C022 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C PER PRESENZA DI SERIE DI DIMM RILEVASGS Thomson Microelectronics
10575M34C02-L2 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C PER PRESENZA DI SERIE DI DIMM RILEVASGS Thomson Microelectronics
10576M34C02-R2 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C PER PRESENZA DI SERIE DI DIMM RILEVASGS Thomson Microelectronics
10577M34C02-W2 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C PER PRESENZA DI SERIE DI DIMM RILEVASGS Thomson Microelectronics
10578M34D3264/32 di bus di serie EEPROM di IC di Kbit con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaSGS Thomson Microelectronics
10579M34D6464 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C CON FISSAGGI SCRIVE IL CONTROLLO SUL QUARTO SUPERIORE DELLA MEMORIASGS Thomson Microelectronics
10580M34D6464/32 di bus di serie EEPROM di IC di Kbit con fissaggi scrive il controllo sul quarto superiore della memoriaSGS Thomson Microelectronics
10581M34D64-W64 IL BUS DI SERIE EEPROM DI KBIT I2C CON FISSAGGI SCRIVE IL CONTROLLO SUL QUARTO SUPERIORE DELLA MEMORIASGS Thomson Microelectronics
10582M34S3232K bus EEPROM di pubblicazione periodica I 2 C con il blocco read-Only prestabilito dall'utente e la pagina di 32-Byte OTPSGS Thomson Microelectronics
10583M350808 Bus Di serie EEPROM Di Kbit SPI Con I Registri IncrementaliSGS Thomson Microelectronics
10584M3510113,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10585M35101Circuito integrato Di Memoria Senza contatto 13,56 Megahertz, 2048-bit Alta Resistenza EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10586M3510213,56 MEGAHERTZ, ISO 14443, CIRCUITO INTEGRATO DI MEMORIA SENZA CONTATTO 2048-bit EEPROM CON L'CIdentificazione UNICA DI PUBBLICAZIONE PERIODICA 64-bitSGS Thomson Microelectronics
10587M35102Memoria senza contatto con l'identificazione unica 64-bit di pubblicazione periodica 13,56 megahertz, 2048-bit alta resistenza EEPROMSGS Thomson Microelectronics
10588M36DR232UNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 2 MBIT (128CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOSGS Thomson Microelectronics
10589M36DR432AUNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 4 MBIT (256CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOSGS Thomson Microelectronics
10590M36DR432A100ZA6C Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10591M36DR432A100ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10592M36DR432A120ZA6C Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10593M36DR432A120ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10594M36DR432AD Mbit (2MB X16, DUAL BANK, PAGE) FLASH MEMORIA E 4 Mbit (256KB X16) SRAM, MULTIPLE MEMORIA DEL PRODOTTOSGS Thomson Microelectronics
10595M36DR432AD10ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10596M36DR432AD12ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10597M36DR432AD85ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10598M36DR432BUNA MEMORIA ISTANTANEA DI 32 MBIT (2MB X16, LA BANCA DOPPIA, PAGINA) E 4 MBIT (256CK X16) SRAM, PRODOTTO DI MEMORIA MULTIPLOSGS Thomson Microelectronics
10599M36DR432B100ZA6C Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics
10600M36DR432B100ZA6T Mbit 2Mb x16, Dual Bank, pagina di memoria Flash e 4 Mbit 256K x16 SRAM, multipla Memory prodottoSGS Thomson Microelectronics

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