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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1021281PSMN004-25Btransistor de TrenchMOS do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021282PSMN004-25Ptransistor de TrenchMOS do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021283PSMN004-36Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021284PSMN004-36Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021285PSMN004-55Wtransistor de TrenchMOS(tm) do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021286PSMN004-60Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021287PSMN004-60Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021288PSMN004-60BN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021289PSMN004-60Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021290PSMN004-60Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021291PSMN005-25Dtransistor de TrenchMOS(tm) do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021292PSMN005-30KFet do nível da lógica de TrenchMOS(tm)Philips
1021293PSMN005-30KN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível lógico FETNXP Semiconductors
1021294PSMN005-55Btransistor de TrenchMOS(tm) do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021295PSMN005-55Ptransistor de TrenchMOS(tm) do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021296PSMN005-75Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021297PSMN005-75Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021298PSMN005-75BN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021299PSMN005-75Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips



1021300PSMN005-75Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021301PSMN005-75PN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021302PSMN006-20KFet do nível ultra baixo de TrenchMOS(tm)Philips
1021303PSMN006-20KN-channel TrenchMOS SiliconMAX ultra-FET de baixo nívelNXP Semiconductors
1021304PSMN008-75Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021305PSMN008-75BN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021306PSMN008-75Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021307PSMN009-100Btransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021308PSMN009-100BN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021309PSMN009-100Ptransistor do field-effect da modalidade do realce da N-canaletaPhilips
1021310PSMN009-100PN-channel TrenchMOS SiliconMAX nível padrão FETNXP Semiconductors
1021311PSMN009-100WTransistor de TrenchMOSPhilips
1021312PSMN009-100Wtransistor de TrenchMOS da N-canaletaPhilips
1021313PSMN010-25YLCN-canal 25 V MOSFET nível 10,6 mohms lógica LFPAK usando a tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021314PSMN010-55Dtransistor de TrenchMOS(tm) do nível da lógica da N-canaletaPhilips
1021315PSMN011-30YLN-channel 10,7 mohms 30 V TrenchMOS nível lógico FET em LFPAKNXP Semiconductors
1021316PSMN011-30YLCN-canal 30 V MOSFET nível 11,6 mohms lógica LFPAK usando a tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021317PSMN011-60MLN-MOSFET canal 60 V nível 11,3 mohms lógica LFPAK33NXP Semiconductors
1021318PSMN011-60MSN-canal 60 V 11,3 mohms nível padrão MOSFET em LFPAK33NXP Semiconductors
1021319PSMN011-80YSN-channel LFPAK 80 V 11 mohms MOSFET nível padrãoNXP Semiconductors
1021320PSMN012-100YSN-channel 100V 12mO nível padrão MOSFET em LFPAKNXP Semiconductors
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