| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1090881 | SGS6N60UFDTU | Desempenho discreto, elevado IGBT com diodo | Fairchild Semiconductor |
| 1090882 | SGS6N60UFTU | Desempenho Discreto, Elevado IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090883 | SGSD100 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 1090884 | SGSD100 | SILICONE COMPLEMENTAR, TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090885 | SGSD100 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090886 | SGSD200 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 1090887 | SGSD200 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO PODER DARLINGTON DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090888 | SGSD200 | SILICONE COMPLEMENTAR, TRANSISTOR DO PODER DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090889 | SGSD310 | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; alta tensão, de alta potência, o silício de comutação rápida planar multiepitaxial NPN transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090890 | SGSD311 | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; alta tensão, de alta potência, o silício de comutação rápida planar multiepitaxial NPN transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090891 | SGSD311FI | 150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; alta tensão, de alta potência, o silício de comutação rápida planar multiepitaxial NPN transistor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090892 | SGSF344 | V (CES): 1.200; V (CEO): 600V; V (EBO): 7V; 7A; 85W; alta tensão de comutação rápida de potência NPN transistor. Para fontes de alimentação chaveadas, deflexão horizontal para a cor TVsand monitores | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090893 | SGSF461 | 125W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido oca-emissor NPN transistor. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090894 | SGSF561 | 150W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido oca-emissor NPN transistor. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090895 | SGSIF344 | TRANSISTOR DE PODER DA ALTA TENSÃO FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090896 | SGSIF344 | NPN transistor de potência para fontes chaveadas de potência e de deflexão horizontal para TV a cores e aplicações monitores, 40W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090897 | SGSIF344FP | TRANSISTOR DE PODER DA ALTA TENSÃO FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090898 | SGSIF344FP | TRANSISTOR DE PODER DA ALTA TENSÃO FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090899 | SGSIF444 | TRANSISTOR DE PODER DA ALTA TENSÃO FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
| 1090900 | SGSIF444 | NPN transistor de potência para fontes chaveadas de potência e de deflexão horizontal para TV a cores e aplicações monitores, 50W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090901 | SGSIF461 | 65W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; interruptor rápido oca-emissor NPN transistor. Para SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090902 | SGSP216 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090903 | SGSP216 | N-canal transistor de potência MOS, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090904 | SGSP217 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090905 | SGSP217 | N-canal transistor de potência MOS, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090906 | SGSP316 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090907 | SGSP316 | N-canal transistor de potência MOS, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090908 | SGSP317 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090909 | SGSP317 | N-canal transistor de potência MOS, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090910 | SGSP477 | Transistor do MOS Do Poder Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | ST Microelectronics |
| 1090911 | SGSP477CHIP | Transistor do MOS do poder da modalidade do realce da N-Canaleta no formulário do dado | ST Microelectronics |
| 1090912 | SGSP516 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090913 | SGSP516 | N-canal transistor de potência MOS, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090914 | SGSP517 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DE N-CHANNEL | ST Microelectronics |
| 1090915 | SGSP517 | N-canal transistor de potência MOS, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090916 | SGU04N60 | IGBT rápido na NPT-tecnologia | Infineon |
| 1090917 | SGU15N40 | Descrição Geral | Fairchild Semiconductor |
| 1090918 | SGU15N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090919 | SGU15N40LTU | Discreto, IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090920 | SGU20N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
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