| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1090881 | SGS6N60UFDTU | Rendimento elevato discreto e IGBT con il diodo | Fairchild Semiconductor |
| 1090882 | SGS6N60UFTU | Rendimento elevato Discreto E IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090883 | SGSD100 | TRANSISTORI COMPLEMENTARI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE | ST Microelectronics |
| 1090884 | SGSD100 | SILICONE COMPLEMENTARE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090885 | SGSD100 | TRANSISTORI COMPLEMENTARI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090886 | SGSD200 | TRANSISTORI COMPLEMENTARI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE | ST Microelectronics |
| 1090887 | SGSD200 | TRANSISTORI COMPLEMENTARI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090888 | SGSD200 | SILICONE COMPLEMENTARE, TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DARLINGTON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090889 | SGSD310 | 150W; V (cer): 600V; V (CEO): 400V; 28A; ad alta tensione, ad alta potenza, silicio commutazione rapida planare multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090890 | SGSD311 | 150W; V (cer): 600V; V (CEO): 400V; 28A; ad alta tensione, ad alta potenza, silicio commutazione rapida planare multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090891 | SGSD311FI | 150W; V (cer): 600V; V (CEO): 400V; 28A; ad alta tensione, ad alta potenza, silicio commutazione rapida planare multiepitaxial transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090892 | SGSF344 | V (CES): 1200V; V (CEO): 600V; V (ebo): 7V; 7A; 85W; ad alta tensione di commutazione veloce transistor di potenza NPN. Per gli alimentatori switching, deflessione orizzontale per il colore TVsand monitor | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090893 | SGSF461 | 125W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; Interruttore veloce hollow-emettitore transistor NPN. Per SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090894 | SGSF561 | 150W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; Interruttore veloce hollow-emettitore transistor NPN. Per SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090895 | SGSIF344 | TRANSISTORI di ALIMENTAZIONE AD ALTA TENSIONE Di Veloce-commutazione NPN | ST Microelectronics |
| 1090896 | SGSIF344 | Transistor di potenza NPN per le forniture di switching di alimentazione e di deflessione orizzontale per TV a colori e applicazioni monitor, 40W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090897 | SGSIF344FP | TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE AD ALTA TENSIONE Di Veloce-commutazione NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090898 | SGSIF344FP | TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE AD ALTA TENSIONE Di Veloce-commutazione NPN | ST Microelectronics |
| 1090899 | SGSIF444 | TRANSISTORI di ALIMENTAZIONE AD ALTA TENSIONE Di Veloce-commutazione NPN | ST Microelectronics |
| 1090900 | SGSIF444 | Transistor di potenza NPN per le forniture di switching di alimentazione e di deflessione orizzontale per TV a colori e applicazioni monitor, 50W | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090901 | SGSIF461 | 65W; V (CES): 850V; V (CEO): 400V; V (ebo): 7V; I (c): 15A; Interruttore veloce hollow-emettitore transistor NPN. Per SMPS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090902 | SGSP216 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090903 | SGSP216 | Canale N transistore MOS di potenza, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090904 | SGSP217 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090905 | SGSP217 | Canale N transistore MOS di potenza, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090906 | SGSP316 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090907 | SGSP316 | Canale N transistore MOS di potenza, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090908 | SGSP317 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090909 | SGSP317 | Canale N transistore MOS di potenza, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090910 | SGSP477 | Transistore del MOS Di Alimentazione Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090911 | SGSP477CHIP | Transistore del MOS di alimentazione di modo di aumento della N-Scanalatura nella forma del dado | ST Microelectronics |
| 1090912 | SGSP516 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090913 | SGSP516 | Canale N transistore MOS di potenza, 250V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090914 | SGSP517 | TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | ST Microelectronics |
| 1090915 | SGSP517 | Canale N transistore MOS di potenza, 200V, 6A | SGS Thomson Microelectronics |
| 1090916 | SGU04N60 | IGBT veloce nella NPT-tecnologia | Infineon |
| 1090917 | SGU15N40 | Descrizione generale | Fairchild Semiconductor |
| 1090918 | SGU15N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090919 | SGU15N40LTU | Discreto, IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 1090920 | SGU20N40L | IGBT | Fairchild Semiconductor |
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