| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 272401 | BU4066BC | Interruptor do analog do quad | ROHM |
| 272402 | BU4066BC/BCF/BCFV | Lógica padrão LSIs > série da lógica BU4000B do CMOS | ROHM |
| 272403 | BU4066BCF | Interruptor do analog do quad | ROHM |
| 272404 | BU4066BCFV | Interruptor do analog do quad | ROHM |
| 272405 | BU4069UB | Inversor do hex | ROHM |
| 272406 | BU4069UB/UBF/UBFV | Lógica padrão LSIs > série da lógica BU4000B do CMOS | ROHM |
| 272407 | BU4069UBF | Inversor do hex | ROHM |
| 272408 | BU4069UBFV | Inversor do hex | ROHM |
| 272409 | BU406D | PODER TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272410 | BU406D | TRANSISTOR DE PODER DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272411 | BU406D | USO EPITAXIAL DO SWITCHING DA TENSÃO DO SILICONE TRANSISTOR(HIGH DE NPN NO ESTÁGIO HORIZONTAL DA SAÍDA DA DEFLEXÃO) | Wing Shing Computer Components |
| 272412 | BU406D | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 272413 | BU406D | NPN, transistor de deflexão horizontal. Para estágios de saída de deflexão horizontais de TV e CRT. VCEO = 200Vdc, Vcbo = 400Vdc, Vcev = 400Vdc, o VEB = 6Vdc, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272414 | BU406H | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272415 | BU406H | 400 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
| 272416 | BU406H | NPN epitaxial transistor de silício. Comutação de alta tensão para a fase de saída de deflexão horizontal. Coletor-base de 400V de tensão. Coletor-emissor 200V de tensão. Tensão emissor-base de 6V. | Wing Shing Computer Components |
| 272417 | BU406TU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272418 | BU407 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272419 | BU407 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | ST Microelectronics |
| 272420 | BU407 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 272421 | BU407 | PODER TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272422 | BU407 | TRANSISTOR DE PODER DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272423 | BU407 | DESCRIÇÃO EPITAXIAL DO SILICONE PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
| 272424 | BU407 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 272425 | BU407 | Poder 7A 150V DEF NPN | ON Semiconductor |
| 272426 | BU407 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 272427 | BU407 | 60.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 150V VCEO, 7.000A Ic, hFE. | Continental Device India Limited |
| 272428 | BU407 | NPN transistor de potência | Motorola |
| 272429 | BU407 | ALTA CORRENTE TRANSISTOR NPN SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 272430 | BU407 | 330 V, 7 A, 60 W, potência transistor de silício NPN | Texas Instruments |
| 272431 | BU407 | NPN, com deflexão horizontal para estágios de saída de deflexão horizontais de TV e SRT. VCEO = 150Vdc, Vcbo = 330Vdc, Vcev = 330Vdc, o VEB = 6Vdc, Ic = 7Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| 272432 | BU4070B | Exclusive OU porta do quad | ROHM |
| 272433 | BU4070B/BF | Lógica padrão LSIs > série da lógica BU4000B do CMOS | ROHM |
| 272434 | BU4070BF | Exclusive OU porta do quad | ROHM |
| 272435 | BU407D | PODER TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272436 | BU407D | TRANSISTOR DE PODER DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 272437 | BU407D | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 272438 | BU407H | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 272439 | BU407H | PODER TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272440 | BU407H | 330 V, 7 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
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