|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6806 | 6807 | 6808 | 6809 | 6810 | 6811 | 6812 | 6813 | 6814 | 6815 | 6816 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
272401BU4066BCПереключатель аналога квадаROHM
272402BU4066BC/BCF/BCFVСтандартная логика LSIs > серия логики BU4000B cmosROHM
272403BU4066BCFПереключатель аналога квадаROHM
272404BU4066BCFVПереключатель аналога квадаROHM
272405BU4069UBИнвертор наговораROHM
272406BU4069UB/UBF/UBFVСтандартная логика LSIs > серия логики BU4000B cmosROHM
272407BU4069UBFИнвертор наговораROHM
272408BU4069UBFVИнвертор наговораROHM
272409BU406DСИЛА TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w)MOSPEC Semiconductor
272410BU406DТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPNBoca Semiconductor Corporation
272411BU406DПОЛЬЗА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА КРЕМНИЯ TRANSISTOR(HIGH NPN ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ В ГОРИЗОНТАЛЬНОМ ЭТАПЕ ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ)Wing Shing Computer Components
272412BU406DОсвинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
272413BU406DNPN, горизонтального отклонения транзистор. Для горизонтальных выходных отклонение этапах телевизоры и ЭЛТ. VCEO = 200Vdc, VCBO = 400 В, Vcev = 400USHA India LTD
272414BU406HТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
272415BU406H400, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
272416BU406HNPN эпитаксиальным кремниевого транзистора. Высокая напряжение переключения для горизонтального выходного каскада прогиб. КоллекWing Shing Computer Components
272417BU406TUТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
272418BU407Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
272419BU407ВЫСОКИЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ТЕЧЕНИЯ NPNST Microelectronics
272420BU407ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPNPower Innovations
272421BU407СИЛА TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w)MOSPEC Semiconductor
272422BU407ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPNBoca Semiconductor Corporation
272423BU407ОПИСАНИЕ КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL)Wing Shing Computer Components
272424BU407Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
272425BU407Сила 7A 150V DEF NPNON Semiconductor
272426BU407ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
272427BU40760.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 7.000A Ic, HFE.Continental Device India Limited
272428BU407NPN транзистор питанияMotorola
272429BU407ТОКА NPN кремниевый транзисторSGS Thomson Microelectronics
272430BU407330 V, 7, 60 Вт, NPN кремния мощный транзисторTexas Instruments
272431BU407NPN, горизонтальное отклонение транзистор для горизонтальных выходных отклонение этапах телевидением и СТО. VCEO = 150Vdc, VCBO = 330 В, Vcev = 330USHA India LTD
272432BU4070BИсключение ИЛИ строб квадаROHM
272433BU4070B/BFСтандартная логика LSIs > серия логики BU4000B cmosROHM
272434BU4070BFИсключение ИЛИ строб квадаROHM
272435BU407DСИЛА TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w)MOSPEC Semiconductor
272436BU407DТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPNBoca Semiconductor Corporation
272437BU407DОсвинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
272438BU407HТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
272439BU407HСИЛА TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w)MOSPEC Semiconductor
272440BU407H330 V, 7, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6806 | 6807 | 6808 | 6809 | 6810 | 6811 | 6812 | 6813 | 6814 | 6815 | 6816 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com