| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 601401 | K6R1016C1D-EI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601402 | K6R1016C1D-JC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601403 | K6R1016C1D-JI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601404 | K6R1016C1D-KC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601405 | K6R1016C1D-KI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601406 | K6R1016C1D-TC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601407 | K6R1016C1D-TI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601408 | K6R1016C1D-UC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601409 | K6R1016C1D-UI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601410 | K6R1016V1C | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601411 | K6R1016V1C-C10 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601412 | K6R1016V1C-C12 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601413 | K6R1016V1C-C15 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601414 | K6R1016V1C-C20 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601415 | K6R1016V1C-I10 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601416 | K6R1016V1C-I12 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601417 | K6R1016V1C-I15 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601418 | K6R1016V1C-I20 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601419 | K6R1016V1D | 128K x folha de 8 dados operando-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado) | Samsung Electronic |
| 601420 | K6R1016V1D-EC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601421 | K6R1016V1D-EC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601422 | K6R1016V1D-EI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601423 | K6R1016V1D-EI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601424 | K6R1016V1D-JC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601425 | K6R1016V1D-JC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601426 | K6R1016V1D-JI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601427 | K6R1016V1D-JI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601428 | K6R1016V1D-KC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601429 | K6R1016V1D-KC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601430 | K6R1016V1D-KI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601431 | K6R1016V1D-KI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601432 | K6R1016V1D-TC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601433 | K6R1016V1D-TC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601434 | K6R1016V1D-TI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601435 | K6R1016V1D-TI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601436 | K6R1016V1D-UC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601437 | K6R1016V1D-UC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601438 | K6R1016V1D-UI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601439 | K6R1016V1D-UI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 601440 | K6R3024V1D | 128K x 24 folhas de dados operando-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado) | Samsung Electronic |
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