Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
601401 | K6R1016C1D-EI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601402 | K6R1016C1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601403 | K6R1016C1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601404 | K6R1016C1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601405 | K6R1016C1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601406 | K6R1016C1D-TC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601407 | K6R1016C1D-TI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601408 | K6R1016C1D-UC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601409 | K6R1016C1D-UI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601410 | K6R1016V1C | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601411 | K6R1016V1C-C10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601412 | K6R1016V1C-C12 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601413 | K6R1016V1C-C15 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601414 | K6R1016V1C-C20 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601415 | K6R1016V1C-I10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601416 | K6R1016V1C-I12 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601417 | K6R1016V1C-I15 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601418 | K6R1016V1C-I20 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
601419 | K6R1016V1D | 128K X fiche technique 8 fonctionnante statique à grande vitesse du bit CMOS RAM(3.3v) | Samsung Electronic |
601420 | K6R1016V1D-EC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601421 | K6R1016V1D-EC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601422 | K6R1016V1D-EI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601423 | K6R1016V1D-EI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601424 | K6R1016V1D-JC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601425 | K6R1016V1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601426 | K6R1016V1D-JI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601427 | K6R1016V1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601428 | K6R1016V1D-KC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601429 | K6R1016V1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601430 | K6R1016V1D-KI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601431 | K6R1016V1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601432 | K6R1016V1D-TC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601433 | K6R1016V1D-TC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601434 | K6R1016V1D-TI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601435 | K6R1016V1D-TI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601436 | K6R1016V1D-UC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601437 | K6R1016V1D-UC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601438 | K6R1016V1D-UI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601439 | K6R1016V1D-UI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
601440 | K6R3024V1D | 128K X 24 fiches techniques fonctionnantes statiques à grande vitesse du bit CMOS RAM(3.3v) | Samsung Electronic |
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