| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601281 | K6R1004C1D-JC(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601282 | K6R1004C1D-JC(I)10_12 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 601283 | K6R1004C1D-JC(I)12 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601284 | K6R1004C1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601285 | K6R1004C1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601286 | K6R1004C1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601287 | K6R1004C1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601288 | K6R1004V1D | 256K X fiche technique 4 de bit (avec/OE) CMOS RAM(3.3v) choisie fonctionnante statique à grande vitesse de rangée | Samsung Electronic |
| 601289 | K6R1004V1D-JC(I)08 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601290 | K6R1004V1D-JC(I)08_10 | 64Kx16 Bit CMOS ultra-rapide RAM statique (3.3V exploitation) fonctionne à usage commercial et des plages de températures industrielles. | Samsung Electronic |
| 601291 | K6R1004V1D-JC(I)10 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601292 | K6R1004V1D-JC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601293 | K6R1004V1D-JC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601294 | K6R1004V1D-JI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601295 | K6R1004V1D-JI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601296 | K6R1004V1D-KC08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601297 | K6R1004V1D-KC10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601298 | K6R1004V1D-KI08 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601299 | K6R1004V1D-KI10 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). | Samsung Electronic |
| 601300 | K6R1008C1A | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601301 | K6R1008C1A | -128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant, goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601302 | K6R1008C1A-C12 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601303 | K6R1008C1A-C15 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601304 | K6R1008C1A-C20 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601305 | K6R1008C1A-I12 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601306 | K6R1008C1A-I15 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601307 | K6R1008C1A-I20 | 128Kx8 charge statique à grande vitesse RAM5V fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601308 | K6R1008C1A-JC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 601309 | K6R1008C1A-JC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 601310 | K6R1008C1A-JC20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 601311 | K6R1008C1A-JI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 601312 | K6R1008C1A-JI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 601313 | K6R1008C1A-JI20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 601314 | K6R1008C1A-TC12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 601315 | K6R1008C1A-TC15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 601316 | K6R1008C1A-TC20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 601317 | K6R1008C1A-TI12 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 12ns | Samsung Electronic |
| 601318 | K6R1008C1A-TI15 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 15ns | Samsung Electronic |
| 601319 | K6R1008C1A-TI20 | 128K x 8 haute vitesse RAM statique, 5V, 20ns | Samsung Electronic |
| 601320 | K6R1008C1B | charge statique à grande vitesse RAM5V du peu 128Kx8 fonctionnant/goupille révolutionnaire dehors. Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
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