No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
601281 | K6R1004C1D-JC(I)10 | funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(3.3v della punta 64Kx16) funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601282 | K6R1004C1D-JC(I)10_12 | 64Kx16 Bit ad alta velocitą di CMOS RAM statica (3.3V Operating) Operato a distanze di temperatura industriale e commerciale. | Samsung Electronic |
601283 | K6R1004C1D-JC(I)12 | funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(3.3v della punta 64Kx16) funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601284 | K6R1004C1D-JC10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601285 | K6R1004C1D-JI10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601286 | K6R1004C1D-KC10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601287 | K6R1004C1D-KI10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601288 | K6R1004V1D | 256K x un foglio di 4 del bit (con/OE) di CMOS RAM(3.3v) dati prescelto di funzionamento statico ad alta velocitą di fila | Samsung Electronic |
601289 | K6R1004V1D-JC(I)08 | funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(3.3v della punta 64Kx16) funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601290 | K6R1004V1D-JC(I)08_10 | 64Kx16 Bit ad alta velocitą di CMOS RAM statica (3.3V Operating) Operato a distanze di temperatura industriale e commerciale. | Samsung Electronic |
601291 | K6R1004V1D-JC(I)10 | funzionamento statico ad alta velocitą di CMOS RAM(3.3v della punta 64Kx16) funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601292 | K6R1004V1D-JC08 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601293 | K6R1004V1D-JC10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601294 | K6R1004V1D-JI08 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601295 | K6R1004V1D-JI10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601296 | K6R1004V1D-KC08 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601297 | K6R1004V1D-KC10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601298 | K6R1004V1D-KI08 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601299 | K6R1004V1D-KI10 | 256Kx4 punta (con OE) CMOS ad alta velocitą RAM(5.0V statico che funziona). | Samsung Electronic |
601300 | K6R1008C1A | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601301 | K6R1008C1A | -128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona, perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601302 | K6R1008C1A-C12 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601303 | K6R1008C1A-C15 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601304 | K6R1008C1A-C20 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601305 | K6R1008C1A-I12 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601306 | K6R1008C1A-I15 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601307 | K6R1008C1A-I20 | 128Kx8 elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601308 | K6R1008C1A-JC12 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns | Samsung Electronic |
601309 | K6R1008C1A-JC15 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns | Samsung Electronic |
601310 | K6R1008C1A-JC20 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns | Samsung Electronic |
601311 | K6R1008C1A-JI12 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns | Samsung Electronic |
601312 | K6R1008C1A-JI15 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns | Samsung Electronic |
601313 | K6R1008C1A-JI20 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns | Samsung Electronic |
601314 | K6R1008C1A-TC12 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns | Samsung Electronic |
601315 | K6R1008C1A-TC15 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns | Samsung Electronic |
601316 | K6R1008C1A-TC20 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns | Samsung Electronic |
601317 | K6R1008C1A-TI12 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 12ns | Samsung Electronic |
601318 | K6R1008C1A-TI15 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 15ns | Samsung Electronic |
601319 | K6R1008C1A-TI20 | 128K x 8 RAM statica ad alta velocitą, il funzionamento 5V, 20ns | Samsung Electronic |
601320 | K6R1008C1B | elettricitą statica ad alta velocitą RAM5V della punta 128Kx8 che funziona/perno rivoluzionario fuori. Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
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