No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
601121 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb NAND e 256Mb SDRAM mobile | Samsung Electronic |
601122 | K5N07FM | öOMNIFETö: COMPLETAMENTE MOSFET DI ALIMENTAZIONE DI AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
601123 | K5P2880YCM | Bit Istantaneo 1Mx8/512Kx16 Cmos Completo SRAM Di Memoria/8M Del Bit 16Mx8 NAND di MEMORIA 128M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato | Samsung Electronic |
601124 | K5P2880YCM - T085 | Foglio Istantaneo Di Memoria/Dati Del Bit Di 128M (16Mx8) NAND | Samsung Electronic |
601125 | K5P2880YCM-T085 | (16Mx8) memoria flash NAND 128M bit / 8M bit (1Mx8 / 512Kx16) CMOS pieno SRAM | Samsung Electronic |
601126 | K5P6480YCM - T085 | Foglio Istantaneo Di Memoria/Dati Del Bit Di 64M (8Mx8) NAND | Samsung Electronic |
601127 | K5Q6432YCM - T010 | Foglio Di Dati Statico Pieno della RAM di Cmos Di Tensione Del Bit Di 64M | Samsung Electronic |
601128 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banche NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
601129 | K5T6432YT | Bit 2Mx16 UtRAM Di Memoria/32M Della Banca NÉ Dell'Istantaneo Del Bit 4Mx16 Quattro di MEMORIA 64M Del Pacchetto Del Multi-Circuito integrato | Samsung Electronic |
601130 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banche NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
601131 | K621 | GINOCCHIO TAGLIENTE DEI DIODI ZENER DEL BASSO LIVELLO, IMPEDENZA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
601132 | K64004C1D | Elettricitą statica Ad alta velocitą RAM(5.0v Della Punta 1Mx4 Che Funziona). Funzionato alle gamme di temperature commerciali ed industriali. | Samsung Electronic |
601133 | K681 | GINOCCHIO TAGLIENTE DEI DIODI ZENER DEL BASSO LIVELLO, IMPEDENZA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
601134 | K6E0808C1C | RAM Ad alta velocitą Di Elettricitą statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
601135 | K6E0808C1C-12 | RAM Ad alta velocitą Di Elettricitą statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
601136 | K6E0808C1C-15 | RAM Ad alta velocitą Di Elettricitą statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
601137 | K6E0808C1C-20 | RAM Ad alta velocitą Di Elettricitą statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
601138 | K6E0808C1C-C | RAM Ad alta velocitą Di Elettricitą statica di Cmos Della Punta 32Kx8 | Samsung Electronic |
601139 | K6E0808C1E | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601140 | K6E0808C1E-C | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601141 | K6E0808C1E-C10 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601142 | K6E0808C1E-C12 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601143 | K6E0808C1E-C15 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601144 | K6E0808C1E-I | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601145 | K6E0808C1E-I10 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601146 | K6E0808C1E-I12 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601147 | K6E0808C1E-I15 | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601148 | K6E0808C1E-L | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601149 | K6E0808C1E-P | 32K x RAM ad alta velocitą di elettricitą statica di CMOS dei 8 bit | Samsung Electronic |
601150 | K6EB-110V | K-relay. Dal design unico relč. 6 forma tensione C. bobina 110 V DC. Plug-in e saldatura. Relč ad alta sensibilitą. Ambra tipo sigillato. | Matsushita Electric Works(Nais) |
601151 | K6F1008V2C | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601152 | K6F1008V2C-F | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601153 | K6F1008V2C-YF55 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601154 | K6F1008V2C-YF70 | RAM di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 128Kx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601155 | K6F1016U4C-EF55 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601156 | K6F1016U4C-EF70 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassaeccellente della punta di 64K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601157 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x foglio di dati statico pieno della RAM di CMOS di alimentazione bassa eccellente dei 16 bit e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601158 | K6F1616T6B | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601159 | K6F1616T6B-EF55 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
601160 | K6F1616T6B-EF70 | RAM piena di elettricitą statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta del 1M x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
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