Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
601121 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb nand и 256Mb передвижное
SDRAM | Samsung Electronic |
601122 | K5N07FM | MOSFET СИЛЫ ?NIFET?FULLY AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
601123 | K5P2880YCM | Бит 1Mx8/512Kx16 Полный Cmos SRAM Памяти
Бита 16Mx8 Nand ПАМЯТИ 128M Пакета Мулти-Oblomoka
Внезапный/8M | Samsung Electronic |
601124 | K5P2880YCM - T085 | Лист Памяти/Данных по Nand Бита 128M
(16Mx8) Внезапный | Samsung Electronic |
601125 | K5P2880YCM-T085 | 128M бит (16Mx8) NAND флэш-память / 8M бит (1Mx8 / 512Kx16) полный CMOS SRAM | Samsung Electronic |
601126 | K5P6480YCM - T085 | Лист Памяти/Данных по Nand Бита 64M
(8Mx8) Внезапный | Samsung Electronic |
601127 | K5Q6432YCM - T010 | Лист Данным по ШТОССЕЛЯ Cmos Напряжения тока Бита
64M Полный Статический | Samsung Electronic |
601128 | K5T6432YBM-T310 | 64 Мбит (4Mx16) четвереньках банки, ни флэш-памяти / 32 мегабита (2Mx16) UTRAM, 100 нс | Samsung Electronic |
601129 | K5T6432YT | Бит 2Mx16 UtRAM Памяти Крена НИ Вспышки Бита
4Mx16 4 ПАМЯТИ 64M Пакета Мулти-Oblomoka/$$ET-32M | Samsung Electronic |
601130 | K5T6432YTM-T310 | 64 Мбит (4Mx16) четвереньках банки, ни флэш-памяти / 32 мегабита (2Mx16) UTRAM, 100 нс | Samsung Electronic |
601131 | K621 | КОЛЕНО ДИОДОВ НИЗКОГО УРОВНЯ ZENER ОСТРОЕ,
НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Knox Semiconductor Inc |
601132 | K64004C1D | Static RAM(5.0V Бита 1Mx4
Высокоскоростной Работая). Работали на коммерчески и
промышленных температурных амплитудах. | Samsung Electronic |
601133 | K681 | КОЛЕНО ДИОДОВ НИЗКОГО УРОВНЯ ZENER ОСТРОЕ,
НИЗКИЙ ИМПЕДАНС | Knox Semiconductor Inc |
601134 | K6E0808C1C | ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8
Высокоскоростной | Samsung Electronic |
601135 | K6E0808C1C-12 | ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8
Высокоскоростной | Samsung Electronic |
601136 | K6E0808C1C-15 | ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8
Высокоскоростной | Samsung Electronic |
601137 | K6E0808C1C-20 | ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8
Высокоскоростной | Samsung Electronic |
601138 | K6E0808C1C-C | ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8
Высокоскоростной | Samsung Electronic |
601139 | K6E0808C1E | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601140 | K6E0808C1E-C | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601141 | K6E0808C1E-C10 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601142 | K6E0808C1E-C12 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601143 | K6E0808C1E-C15 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601144 | K6E0808C1E-I | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601145 | K6E0808C1E-I10 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601146 | K6E0808C1E-I12 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601147 | K6E0808C1E-I15 | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601148 | K6E0808C1E-L | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601149 | K6E0808C1E-P | 32K x ШТОССЕЛЬ static cmos
скорости 8 битов высокий | Samsung Electronic |
601150 | K6EB-110V | К-реле. Уникальная конструкция реле. 6 форма C. Напряжение катушки 110 В постоянного тока. Plug-In и припой. Высокая реле чувствительност | Matsushita Electric Works(Nais) |
601151 | K6F1008V2C | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
128Kx8 и низкого напряжения тока | Samsung Electronic |
601152 | K6F1008V2C-F | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
128Kx8 и низкого напряжения тока | Samsung Electronic |
601153 | K6F1008V2C-YF55 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
128Kx8 и низкого напряжения тока | Samsung Electronic |
601154 | K6F1008V2C-YF70 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
128Kx8 и низкого напряжения тока | Samsung Electronic |
601155 | K6F1016U4C-EF55 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
64K x16 и низкого напряжения тока полный | Samsung Electronic |
601156 | K6F1016U4C-EF70 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
64K x16 и низкого напряжения тока полный | Samsung Electronic |
601157 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x лист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер
низкой силы 16 битов и низкого напряжения тока полный
статический | Samsung Electronic |
601158 | K6F1616T6B | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
1M x16 и низкого напряжения тока полный | Samsung Electronic |
601159 | K6F1616T6B-EF55 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
1M x16 и низкого напряжения тока полный | Samsung Electronic |
601160 | K6F1616T6B-EF70 | ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита
1M x16 и низкого напряжения тока полный | Samsung Electronic |
| | | |