|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15024 | 15025 | 15026 | 15027 | 15028 | 15029 | 15030 | 15031 | 15032 | 15033 | 15034 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
601121K5D5657ACM-F015256Mb nand и 256Mb передвижное SDRAMSamsung Electronic
601122K5N07FMMOSFET СИЛЫ ?NIFET?FULLY AUTOPROTECTEDSGS Thomson Microelectronics
601123K5P2880YCMБит 1Mx8/512Kx16 Полный Cmos SRAM Памяти Бита 16Mx8 Nand ПАМЯТИ 128M Пакета Мулти-Oblomoka Внезапный/8MSamsung Electronic
601124K5P2880YCM - T085Лист Памяти/Данных по Nand Бита 128M (16Mx8) ВнезапныйSamsung Electronic
601125K5P2880YCM-T085128M бит (16Mx8) NAND флэш-память / 8M бит (1Mx8 / 512Kx16) полный CMOS SRAMSamsung Electronic
601126K5P6480YCM - T085Лист Памяти/Данных по Nand Бита 64M (8Mx8) ВнезапныйSamsung Electronic
601127K5Q6432YCM - T010Лист Данным по ШТОССЕЛЯ Cmos Напряжения тока Бита 64M Полный СтатическийSamsung Electronic
601128K5T6432YBM-T31064 Мбит (4Mx16) четвереньках банки, ни флэш-памяти / 32 мегабита (2Mx16) UTRAM, 100 нсSamsung Electronic
601129K5T6432YTБит 2Mx16 UtRAM Памяти Крена НИ Вспышки Бита 4Mx16 4 ПАМЯТИ 64M Пакета Мулти-Oblomoka/$$ET-32MSamsung Electronic
601130K5T6432YTM-T31064 Мбит (4Mx16) четвереньках банки, ни флэш-памяти / 32 мегабита (2Mx16) UTRAM, 100 нсSamsung Electronic
601131K621КОЛЕНО ДИОДОВ НИЗКОГО УРОВНЯ ZENER ОСТРОЕ, НИЗКИЙ ИМПЕДАНСKnox Semiconductor Inc
601132K64004C1DStatic RAM(5.0V Бита 1Mx4 Высокоскоростной Работая). Работали на коммерчески и промышленных температурных амплитудах.Samsung Electronic
601133K681КОЛЕНО ДИОДОВ НИЗКОГО УРОВНЯ ZENER ОСТРОЕ, НИЗКИЙ ИМПЕДАНСKnox Semiconductor Inc
601134K6E0808C1CШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8 ВысокоскоростнойSamsung Electronic
601135K6E0808C1C-12ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8 ВысокоскоростнойSamsung Electronic
601136K6E0808C1C-15ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8 ВысокоскоростнойSamsung Electronic
601137K6E0808C1C-20ШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8 ВысокоскоростнойSamsung Electronic
601138K6E0808C1C-CШТОССЕЛЬ Static Cmos Бита 32Kx8 ВысокоскоростнойSamsung Electronic
601139K6E0808C1E32K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601140K6E0808C1E-C32K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601141K6E0808C1E-C1032K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601142K6E0808C1E-C1232K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601143K6E0808C1E-C1532K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601144K6E0808C1E-I32K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601145K6E0808C1E-I1032K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601146K6E0808C1E-I1232K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601147K6E0808C1E-I1532K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601148K6E0808C1E-L32K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601149K6E0808C1E-P32K x ШТОССЕЛЬ static cmos скорости 8 битов высокийSamsung Electronic
601150K6EB-110VК-реле. Уникальная конструкция реле. 6 форма C. Напряжение катушки 110 В постоянного тока. Plug-In и припой. Высокая реле чувствительностMatsushita Electric Works(Nais)
601151K6F1008V2CШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128Kx8 и низкого напряжения токаSamsung Electronic
601152K6F1008V2C-FШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128Kx8 и низкого напряжения токаSamsung Electronic
601153K6F1008V2C-YF55ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128Kx8 и низкого напряжения токаSamsung Electronic
601154K6F1008V2C-YF70ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 128Kx8 и низкого напряжения токаSamsung Electronic
601155K6F1016U4C-EF55ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 64K x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
601156K6F1016U4C-EF70ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 64K x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
601157K6F1616R6M FAMILY1M x лист данным по ШТОССЕЛЯ cmos супер низкой силы 16 битов и низкого напряжения тока полный статическийSamsung Electronic
601158K6F1616T6BШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 1M x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
601159K6F1616T6B-EF55ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 1M x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
601160K6F1616T6B-EF70ШТОССЕЛЬ static cmos супер низкой силы бита 1M x16 и низкого напряжения тока полныйSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15024 | 15025 | 15026 | 15027 | 15028 | 15029 | 15030 | 15031 | 15032 | 15033 | 15034 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com