| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 601121 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb NAND e 256Mb SDRAM móvel | Samsung Electronic |
| 601122 | K5N07FM | MOSFET DO PODER DE?NIFET?FULLY AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
| 601123 | K5P2880YCM | Bocado Flash 1Mx8/512Kx16 Cmos Cheio SRAM Da Memória Do Bocado 16Mx8 Nand da MEMÓRIA 128M Do Pacote Da Multi-Microplaqueta/8M | Samsung Electronic |
| 601124 | K5P2880YCM - T085 | Folha Flash Da Memória/Dados Do Nand Do Bocado De 128M (16Mx8) | Samsung Electronic |
| 601125 | K5P2880YCM-T085 | (16Mx8) memória flash NAND de 128M bits / 8M bit (1Mx8 / 512Kx16) CMOS full SRAM | Samsung Electronic |
| 601126 | K5P6480YCM - T085 | Folha Flash Da Memória/Dados Do Nand Do Bocado De 64M (8Mx8) | Samsung Electronic |
| 601127 | K5Q6432YCM - T010 | Folha De Dados De estática Cheia da RAM do Cmos Da Tensão Do Bocado De 64M | Samsung Electronic |
| 601128 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours bancos nem de memória flash / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 601129 | K5T6432YT | Bocado 2Mx16 UtRAM Da Memória Do Banco NEM Do Flash Do Bocado 4Mx16 Quatro da MEMÓRIA 64M Do Pacote Da Multi-Microplaqueta/32M | Samsung Electronic |
| 601130 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours bancos nem de memória flash / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 601131 | K621 | JOELHO AFIADO DOS DIODOS DO NÍVEL BAIXO ZENER, IMPEDANCE BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 601132 | K64004C1D | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 601133 | K681 | JOELHO AFIADO DOS DIODOS DO NÍVEL BAIXO ZENER, IMPEDANCE BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 601134 | K6E0808C1C | RAM De alta velocidade Da Estática do Cmos Do Bocado 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 601135 | K6E0808C1C-12 | RAM De alta velocidade Da Estática do Cmos Do Bocado 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 601136 | K6E0808C1C-15 | RAM De alta velocidade Da Estática do Cmos Do Bocado 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 601137 | K6E0808C1C-20 | RAM De alta velocidade Da Estática do Cmos Do Bocado 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 601138 | K6E0808C1C-C | RAM De alta velocidade Da Estática do Cmos Do Bocado 32Kx8 | Samsung Electronic |
| 601139 | K6E0808C1E | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601140 | K6E0808C1E-C | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601141 | K6E0808C1E-C10 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601142 | K6E0808C1E-C12 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601143 | K6E0808C1E-C15 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601144 | K6E0808C1E-I | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601145 | K6E0808C1E-I10 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601146 | K6E0808C1E-I12 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601147 | K6E0808C1E-I15 | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601148 | K6E0808C1E-L | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601149 | K6E0808C1E-P | 32K x RAM de alta velocidade da estática do CMOS de 8 bocados | Samsung Electronic |
| 601150 | K6EB-110V | K-relay. Exclusivamente concebido relé. 6 forma de tensão C. bobina 110 V DC. Plug-in e solda. Relé de alta sensibilidade. Âmbar tipo selado. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 601151 | K6F1008V2C | RAM da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 128Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601152 | K6F1008V2C-F | RAM da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 128Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601153 | K6F1008V2C-YF55 | RAM da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 128Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601154 | K6F1008V2C-YF70 | RAM da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 128Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601155 | K6F1016U4C-EF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 64Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601156 | K6F1016U4C-EF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 64Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601157 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x folha de dados de estática cheia da RAM do CMOS do poder baixo super de 16 bocados e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601158 | K6F1616T6B | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado do 1M x16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601159 | K6F1616T6B-EF55 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado do 1M x16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 601160 | K6F1616T6B-EF70 | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado do 1M x16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
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