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2N23867 Manufaturado perto: |
1.000W de potência PNP metal pode transistor. VCEO 40V, 3.000A Ic, 40-200 hFE. Outros com a mesma lima para o datasheet: 2N3867, |
Pdf da folha de dados do download 2N23867 datasheet do Continental Device India Limited |
pdf 65 kb |
2N2380A | Vista 2N23867 a nosso catálogo | 2N2405 |