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2N23867 Vorbei Hergestellt: |
1.000W Leistung PNP Metall kann der Transistor. 40V Vceo, 3.000A Ic, 40-200 hFE. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: 2N3867, |
Download 2N23867 datasheet von Continental Device India Limited |
pdf 65 kb |
2N2380A | Ansicht 2N23867 zu unserem Katalog | 2N2405 |