| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 44481 | 2N2369A | NPN SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 44482 | 2N2369A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44483 | 2N2369A | GESÄTTIGTER HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTER | ST Microelectronics |
| 44484 | 2N2369A | 1.200 W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 15V Vceo, A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44485 | 2N2369A | NPN Hochgeschwindigkeits gesättigten Schalter. | Fairchild Semiconductor |
| 44486 | 2N2369A | NPN Silizium Schalttransistor | Motorola |
| 44487 | 2N2369A | Chip: Geometrie 0005; Polarität NPN | Semicoa Semiconductor |
| 44488 | 2N2369A1 | SCHNELL-/MITTLERER ENERGIE/NPN SCHALTUNG TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH SIEGELPaket TO-18 FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 44489 | 2N2369ACSM | GROSSE GESCHWINDIGKEIT, MITTLERE ENERGIE, NPN SCHALTUNG TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 44490 | 2N2369ADCSM | DOPPELGROSSE Geschwindigkeit, MITTLERE ENERGIE, NPN SCHALTUNG TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET | SemeLAB |
| 44491 | 2N2369AU | NPN Transistor | Microsemi |
| 44492 | 2N2369AUA | NPN Transistor | Microsemi |
| 44493 | 2N2369AUB | NPN Transistor | Microsemi |
| 44494 | 2N2377 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44495 | 2N2378 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44496 | 2N2380A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44497 | 2N23867 | 1.000W Leistung PNP Metall kann der Transistor. 40V Vceo, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44498 | 2N2405 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
