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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1176081STP36N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176082STP36N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176083STP36N06FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176084STP36N06FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176085STP36N06FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176086STP36N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176087STP36N06LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176088STP36N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176089STP36N06LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176090STP36N06LFIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176091STP36N06LFIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176092STP36N55M5N-Kanal 550 V, 0,06 Ohm, 33 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176093STP36NE06N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176094STP36NE06N - FÜHRUNG 60V - 0.032 Ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1176095STP36NE06N-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1176096STP36NE06FPN-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176097STP36NE06FPN-CHANNEL - 60V - 0.032 OHM - 36A - TO-220/TO-220FP STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1176098STP36NF03LN-CHANNEL 30V 0.015 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM--36A TO-220 NIEDRIGERST Microelectronics
1176099STP36NF03LN-CHANNEL 30V 0.015 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM--36A TO-220 NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics



1176100STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 Ohm - 36A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1176101STP36NF06N-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176102STP36NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176103STP36NF06LN-CHANNEL 60V - 0.032 OHM - 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176104STP38N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176105STP38N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176106STP38N06N - HOHER DENSITY?OWER MOS TRANSISTOR Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?TRASGS Thomson Microelectronics
1176107STP38N65M5N-Kanal 650 V, 0.073 Ohm typ. 30 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176108STP3HNK90ZN-CHANNEL 900V - 3.5OHM - 3A - TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1176109STP3LN62K3N-Kanal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET TO-220ST Microelectronics
1176110STP3N100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176111STP3N100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176112STP3N100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176113STP3N100FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176114STP3N100FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176115STP3N100FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176116STP3N150N-Kanal 1500 V, 6 Ohm typ. 2,5 A PowerMESH (TM) Leistungs-MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176117STP3N80K5N-Kanal 800 V, 2,8 Ohm typ. 2,5 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1176118STP3NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1176119STP3NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1176120STP3NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
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