|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | 6254 | 6255 | 6256 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
250001BC32840BUPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250002BC32840TAPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250003BC328A0.625W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250004BC328BUPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250005BC328TAPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250006BC328TARPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250007BC328TFPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250008BC328TFRPNP Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250009BC337NPN ZwecktransistorPhilips
250010BC337Schaltung und Verstärker-AnwendungenFairchild Semiconductor
250011BC337Universeller TransistorKorea Electronics (KEC)
250012BC337Kleine Signal-Transistoren (NPN)Vishay
250013BC337Kleine Signal-Transistoren (NPN)General Semiconductor
250014BC337NPN Silikon Af TransistorInfineon
250015BC337Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocyUltra CEMI
250016BC337NPN Silikon-Epitaxial- Planarer TransistorHoney Technology
250017BC337NPN SILIKONAF MITTLERE ENERGIE TRANSISTORENMicro Electronics
250018BC337NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250019BC337Verstärker-TransistorMotorola



250020BC337Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250021BC337Silikon-Epitaxial- PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250022BC337NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und VerstärkeranwendungenSemtech
250023BC3370.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 100-630 hFEContinental Device India Limited
250024BC337Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Kollektor-Basis VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Vceo = 45V. Emitter-Basis Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc = 625mW. Collector CurrenUSHA India LTD
250025BC337-016Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250026BC337-025Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250027BC337-040Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250028BC337-16NPN ZwecktransistorPhilips
250029BC337-16NPN Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
250030BC337-16NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250031BC337-16Verstärker-TransistorMotorola
250032BC337-16Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250033BC337-16Transistoren, Rf U. AfVishay
250034BC337-16Silikon-Epitaxial- PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250035BC337-160.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
250036BC337-16Kleiner Signal-Transistor (NPN)General Semiconductor
250037BC337-16RL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250038BC337-16ZL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250039BC337-25NPN ZwecktransistorPhilips
250040BC337-25NPN Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | 6250 | 6251 | 6252 | 6253 | 6254 | 6255 | 6256 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com