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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
250081BC33740BUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250082BC33740TANPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250083BC337A0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250084BC337ANPN-Transistor für allgemeine ZweckePhilips
250085BC337ABUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250086BC337BUNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250087BC337RL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250088BC337TFNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250089BC337TFRNPN Epitaxial- Silikon-TransistorFairchild Semiconductor
250090BC337ZL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250091BC338Schaltung und Verstärker-AnwendungenFairchild Semiconductor
250092BC338Universeller TransistorKorea Electronics (KEC)
250093BC338Kleine Signal-Transistoren (NPN)Vishay
250094BC338Kleine Signal-Transistoren (NPN)General Semiconductor
250095BC338NPN Silikon Af TransistorInfineon
250096BC338Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocyUltra CEMI
250097BC338NPN Silikon-Epitaxial- Planarer TransistorHoney Technology
250098BC338NPN SILIKONAF MITTLERE ENERGIE TRANSISTORENMicro Electronics
250099BC338NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens



250100BC338Verstärker-TransistorMotorola
250101BC338Silikon-Epitaxial- PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250102BC338NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und VerstärkeranwendungenSemtech
250103BC3380.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100-600 hFEContinental Device India Limited
250104BC338Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Vces = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA.USHA India LTD
250105BC338-16NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250106BC338-16Verstärker-TransistorMotorola
250107BC338-16Transistoren, Rf U. AfVishay
250108BC338-16Silikon-Epitaxial- PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250109BC338-16Verstärker Transistors(NPN Silikon)ON Semiconductor
250110BC338-16Kleiner Signal-Transistor (NPN)General Semiconductor
250111BC338-25NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250112BC338-25Verstärker-TransistorMotorola
250113BC338-25Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250114BC338-25Transistoren, Rf U. AfVishay
250115BC338-25Silikon-Epitaxial- PlanarTransistorsDiotec Elektronische
250116BC338-250.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250117BC338-25Kleiner Signal-Transistor (NPN)General Semiconductor
250118BC338-25ZL1Transistor-Silikon-Plastik NPNON Semiconductor
250119BC338-40NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms)Siemens
250120BC338-40Verstärker-TransistorMotorola
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