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NDH853N Manufaturado perto: |
Comprimento / Altura 1,02 milímetros Largura 4,55 milímetros Profundidade 4,06 milímetros de dissipação de energia 1,8 W Transistor polaridade N Canal Id atual cont. 7.6 A tensão Vgs th max. 4,5 V de tensão Vds max 30 V | Pdf da folha de dados do download NDH853N datasheet do Fairchild Semiconductor |
pdf 87 kb |
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Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | Pdf da folha de dados do download NDH853N datasheet do National Semiconductor |
PDF 176 kb |
NDH8521C | Vista NDH853N a nosso catálogo | NDH854P |