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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
NDH853N construit près: |
Longueur / hauteur 1,02 mm Largeur 4,55 mm Profondeur 4.06 mm Puissance dissipée 1,8 W Transistor polarité N Canal Courant, Id cont. 7.6 Une tension Vgs th max. 4,5 V de tension Vds maximum 30 V | Téléchargement NDH853N datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 87 kb |
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Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | Téléchargement NDH853N datasheet de National Semiconductor |
PDF 176 kb |
NDH8521C | Vue NDH853N à notre catalogue | NDH854P |