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NDH854P construit près: |
Longueur / hauteur 1,02 mm Largeur 4,55 mm Profondeur 4.06 mm Puissance dissipée 1,8 W Transistor polarité canal P Courant, Id cont. 5.1 Une tension Vgs th max. 4,5 V de tension Vds maximum 30 V | Téléchargement NDH854P datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 90 kb |
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Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Téléchargement NDH854P datasheet de National Semiconductor |
PDF 100 kb |
NDH853N | Vue NDH854P à notre catalogue | NDHA500APAE1 |