|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SB1027 изготавливается путем: |
ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной Type(PCT Кремния PNP) | скачать 2SB1027 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 35 kb |
|
Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | скачать 2SB1027 лист данных ( datasheet ) от Hitachi Semiconductor |
pdf 36 kb |
2SB1026 | Посмотреть 2SB1027 в наш каталог | 2SB1028 |