Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1176081 | STP36N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1176082 | STP36N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176083 | STP36N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176084 | STP36N06FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1176085 | STP36N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176086 | STP36N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176087 | STP36N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1176088 | STP36N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176089 | STP36N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176090 | STP36N06LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1176091 | STP36N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176092 | STP36N55M5 | N-канальный 550 В, 0,06 Ом, 33, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
1176093 | STP36NE06 | N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA
- MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFET | ST Microelectronics |
1176094 | STP36NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.032 Ома - 36ЈA -
Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1176095 | STP36NE06 | N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA
- MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1176096 | STP36NE06FP | N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA
- MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFET | ST Microelectronics |
1176097 | STP36NE06FP | N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA
- MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
1176098 | STP36NF03L | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
-36ЈA TO-220 N-CHANNEL 30V 0.015 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
1176099 | STP36NF03L | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
-36ЈA TO-220 N-CHANNEL 30V 0.015 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1176100 | STP36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 Ома - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA TO-220 НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
1176101 | STP36NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
1176102 | STP36NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
1176103 | STP36NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
1176104 | STP38N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176105 | STP38N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176106 | STP38N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos РЕЖИМА ?TRA ВЫСОКИЙ
DENSITY?OWER ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
1176107 | STP38N65M5 | N-канальный 650 В, 0,073 Ом тип., 30 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
1176108 | STP3HNK90Z | N-CHANNEL 900V - 3.5ЈOHM -
3ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
1176109 | STP3LN62K3 | N-канальный 620 В, 2,5 Ом, 2,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
1176110 | STP3N100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176111 | STP3N100 | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos
СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1176112 | STP3N100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176113 | STP3N100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176114 | STP3N100FI | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos
СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1176115 | STP3N100FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
1176116 | STP3N150 | N-канальный 1500 V, 6 Ом тип., 2,5 PowerMESH (TM) мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
1176117 | STP3N80K5 | N-канальный 800 В, 2,8 Ом тип., 2,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
1176118 | STP3NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
1176119 | STP3NA100 | Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР
Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
1176120 | STP3NA100 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |