|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | 29406 | 29407 | 29408 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1176081STP36N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176082STP36N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176083STP36N06FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176084STP36N06FIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176085STP36N06FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176086STP36N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176087STP36N06LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176088STP36N06LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176089STP36N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176090STP36N06LFIН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176091STP36N06LFIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176092STP36N55M5N-канальный 550 В, 0,06 Ом, 33, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176093STP36NE06N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETST Microelectronics
1176094STP36NE06Н - КАНАЛ 60V - 0.032 Ома - 36ЈA - Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP STripFETSGS Thomson Microelectronics
1176095STP36NE06N-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1176096STP36NE06FPN-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETST Microelectronics
1176097STP36NE06FPN-CHANNEL - 60V - 0.032 ОМА - 36ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1176098STP36NF03LMOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА -36ЈA TO-220 N-CHANNEL 30V 0.015 НИЗКИЙST Microelectronics
1176099STP36NF03LMOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА -36ЈA TO-220 N-CHANNEL 30V 0.015 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1176100STP36NF03LN-CHANNEL 30V - 0.015 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA TO-220 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1176101STP36NF06N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET IIST Microelectronics
1176102STP36NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A TO-220/TO-220FP STRIPFET IIST Microelectronics
1176103STP36NF06LN-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET СИЛЫ 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET IIST Microelectronics
1176104STP38N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176105STP38N06СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176106STP38N06Н - ТРАНЗИСТОР Mos РЕЖИМА ?TRA ВЫСОКИЙ DENSITY?OWER ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1176107STP38N65M5N-канальный 650 В, 0,073 Ом тип., 30 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176108STP3HNK90ZN-CHANNEL 900V - 3.5ЈOHM - 3ЈA - MOSFET СИЛЫ TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESHST Microelectronics
1176109STP3LN62K3N-канальный 620 В, 2,5 Ом, 2,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET TO-220ST Microelectronics
1176110STP3N100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176111STP3N100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1176112STP3N100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176113STP3N100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176114STP3N100FIН - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1176115STP3N100FIСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1176116STP3N150N-канальный 1500 V, 6 Ом тип., 2,5 PowerMESH (TM) мощность MOSFET в TO-220 пакетST Microelectronics
1176117STP3N80K5N-канальный 800 В, 2,8 Ом тип., 2,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусеST Microelectronics
1176118STP3NA100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1176119STP3NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, БЫСТРЫЙ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
1176120STP3NA100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29398 | 29399 | 29400 | 29401 | 29402 | 29403 | 29404 | 29405 | 29406 | 29407 | 29408 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com