|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SK1611 изготавливается путем: |
V (DSS): 800V; кремний N-канальный Поу F-MOS FET. Для высокоскоростной коммутации, для усиления мощности высокой частоты | скачать 2SK1611 лист данных ( datasheet ) от Panasonic |
pdf 42 kb |
2SK1610 | Посмотреть 2SK1611 в наш каталог | 2SK1612 |