|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
HY57V161610ETP-5I изготавливается путем: |
2 банки х 512 х 16 бит синхронное DRAM, LVTTL, 200 МГц Другие с той же файл данные: HY57V161610ETP-8I, HY57V161610ETP-7I, HY57V161610ETP-6I, HY57V161610ETP-55I, HY57V161610ETP-15I, |
скачать HY57V161610ETP-5I лист данных ( datasheet ) от Hynix Semiconductor |
pdf 78 kb |
HY57V161610ETP-55I | Посмотреть HY57V161610ETP-5I в наш каталог | HY57V161610ETP-6I |