 |
|
| | Главная страница | Все производители | В функции | |
|
| Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
| IRFR220 изготавливается путем: | 
|
 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D-Pak Другие с той же файл данные: IRFR220PBF, IRFR220TR, IRFR220TRL, IRFR220TRR, IRFU220, |
скачать IRFR220 лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 179 kb |
 | 4.6ЈA, 200V, 0.800 Ома, MOSFETs Силы Н-Kanala | скачать IRFR220 лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
 | транзистор влияния поля режима повышения Н-kanala | скачать IRFR220 лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 115 kb |
 | 4.6A, 200В, 0,800 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | скачать IRFR220 лист данных ( datasheet ) от Intersil |
pdf 61 kb |
| IRFR21N60L | Посмотреть IRFR220 в наш каталог | IRFR220B |