|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
NTZD5110N изготавливается путем: |
Слабый сигнал MOSFET 60 В, 310 мА, двойной N-канал с ОУР защите | скачать NTZD5110N лист данных ( datasheet ) от ON Semiconductor |
PDF 101 kb |
NTZD3156C | Посмотреть NTZD5110N в наш каталог | NTZS3151P |