|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
PSMN165-200K изготавливается путем: |
транзистор field-effect режима повышения Н-kanala | скачать PSMN165-200K лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 112 kb |
|
N-канальный TrenchMOS SiliconMAX стандартный уровень FET | скачать PSMN165-200K лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 222 kb |
PSMN155-200K | Посмотреть PSMN165-200K в наш каталог | PSMN1R0-30YLC |