|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
SI4410DY изготавливается путем: |
N-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровень | скачать SI4410DY лист данных ( datasheet ) от NXP Semiconductors |
pdf 214 kb |
|
транзистор field-effect режима повышения Н-kanala | скачать SI4410DY лист данных ( datasheet ) от Philips |
pdf 112 kb |
|
30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 Другие с той же файл данные: SI4410DYTR, |
скачать SI4410DY лист данных ( datasheet ) от International Rectifier |
pdf 104 kb |
|
Одиночный Mosfet PowerTrench Уровня Логики Н-Kanala | скачать SI4410DY лист данных ( datasheet ) от Fairchild Semiconductor |
pdf 238 kb |
SI4410BDY-T1 | Посмотреть SI4410DY в наш каталог | SI4410DY-REVA |