|
| Главная страница | Все производители | В функции | |
|
Быстрый переход к: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
TPC8006-H изготавливается путем: |
Тип mos канала н кремния транзистора влияния поля (высокоскоростное U-MOSII) применения PC тетради применений оборудования конвертеров DC dc высокоскоростных и высокийа организационно-технический уровень портативные | скачать TPC8006-H лист данных ( datasheet ) от TOSHIBA |
pdf 316 kb |
TPC8005-H | Посмотреть TPC8006-H в наш каталог | TPC8009-H |