Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
301 | HI882 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
302 | HIRF630 | MOSFETs Н-Kanala | Hi-Sincerity Microelectronics |
303 | HIRF840 | MOSFETs/ Силы Н-Kanala 18-20 A/
50 В | Hi-Sincerity Microelectronics |
304 | HIRF840F | MOSFETs/ Силы Н-Kanala 18-20 A/
50 В | Hi-Sincerity Microelectronics |
305 | HJ10387 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
306 | HJ1109 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
307 | HJ112 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
308 | HJ117 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
309 | HJ122 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
310 | HJ127 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
311 | HJ14C | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
312 | HJ1538 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
313 | HJ1609 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
314 | HJ210 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
315 | HJ2584 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
316 | HJ2955 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
317 | HJ3055 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
318 | HJ31C | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
319 | HJ32C | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
320 | HJ340 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
321 | HJ350 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
322 | HJ3669 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
323 | HJ3953 | Излучатель для базового напряжения: 3В 200 мА NPN эпитаксиальный плоская транзистор | Hi-Sincerity Microelectronics |
324 | HJ42C | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
325 | HJ44H11 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
326 | HJ45H11 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
327 | HJ47 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
328 | HJ50 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
329 | HJ649A | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
330 | HJ6668 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
331 | HJ667A | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
332 | HJ669A | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
333 | HJ6718 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
334 | HJ772 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
335 | HJ882 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
336 | HLB120A | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
337 | HLB1211 | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
338 | HLB121I | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТИПА NPN ВТРОЙНЕ
ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
339 | HLB121J | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
340 | HLB122I | Транзисторы Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженные Плоскостные | Hi-Sincerity Microelectronics |
341 | HLB122J | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
342 | HLB122T | Транзистор Высокого напряжения Типа NPN Втройне
Отраженный Плоскостной | Hi-Sincerity Microelectronics |
343 | HLB123 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
344 | HLB123D | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
345 | HLB123I | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
346 | HLB123T | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
347 | HLB124 | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
348 | HLB124E | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
349 | HLB125E | ТРАНЗИСТОР NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Hi-Sincerity Microelectronics |
350 | HM1300 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ DARLINGTON) | Hi-Sincerity Microelectronics |
| | | |