|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 25648 | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1026081PTB78560A30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-TrackTexas Instruments
1026082PTB78560B30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-TrackTexas Instruments
1026083PTB78560C30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-TrackTexas Instruments
1026084PTC4001TТранзистор силы микроволны NPNPhilips
1026085PTD08A020W20А, 4,75 14В, неизолированный, модуль дискретного PowertrainTexas Instruments
1026086PTD08A210WОдноместный 10-выход, 4,75 к 14V Input, неизолированный, модуль дискретного PowertrainTexas Instruments
1026087PTEA40412050-Вт, 48-V вход, 12-В вывод, изолированный конвертер DC / DCTexas Instruments
1026088PTFПромышленный, очень низкий коэффициент шума и напряжения тока, малый пакет, лазер 100% закрутил в спираль, очень хорошие высокочастотные характеристики, имеющийся испытывать принятия, может заменить катушкы Wirewound, главное предохранение от влагиVishay
1026089PTF080101ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ 10W/ СИЛЫ LDMOS RF 860-960MHZInfineon
1026090PTF080101SТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ 10W/ СИЛЫ LDMOS RF 860-960MHZInfineon
1026091PTF080451Транзистор Влияния Поля 45 Силы LDMOS Rf С 869-960 МегациклInfineon
1026092PTF080451EТранзистор Влияния Поля 45 Силы LDMOS Rf С 869-960 МегациклInfineon
1026093PTF080601Транзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf С 860-960 МегациклInfineon
1026094PTF080601AТранзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf С 860-960 МегациклInfineon
1026095PTF080601EТранзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf С 860-960 МегациклInfineon
1026096PTF080601FТранзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf С 860-960 МегациклInfineon
1026097PTF080901Транзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf С 869-960 МегациклInfineon
1026098PTF080901EТранзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf С 869-960 МегациклInfineon
1026099PTF080901FТранзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf С 869-960 МегациклInfineon
1026100PTF1000735 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026101PTF1000985 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026102PTF1001550 Ватт, 300.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026103PTF10019ная<>Ericsson Microelectronics
1026104PTF10020125 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026105PTF1002130 Ватт, 1.4.1.6 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026106PTF1003150 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026107PTF1003685 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля Мегацикла GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026108PTF1004312 Ватта, 1.9.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026109PTF1004530 Ватт, 1.60.1.65 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026110PTF1004830 Ватт, 2.1.2.2 Гигагерца, Транзистор Влияния Поля W-CDMA GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026111PTF1005235 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026112PTF1005312 Ватта, 2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026113PTF1006530 Ватт, 1.93.1.99 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026114PTF10100165 Ватт, 860.900 Транзистор Влияния Поля Мегацикла LDMOSEricsson Microelectronics
1026115PTF101075 Ватт, 2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026116PTF101116 Ватт, 1.5 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026117PTF1011260 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026118PTF1011912 Ватта, 2.1.2.2 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026119PTF10120120 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026120PTF1012250 Ватт WCDMA, 2.1.2.2 Транзистора Влияния Поля Гигагерца GOLDMOSEricsson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 25648 | 25649 | 25650 | 25651 | 25652 | 25653 | 25654 | 25655 | 25656 | 25657 | 25658 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com