Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
1026081 | PTB78560A | 30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-Track | Texas Instruments |
1026082 | PTB78560B | 30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-Track | Texas Instruments |
1026083 | PTB78560C | 30-З, 24-V/48-V Входной преобразователь DC / DC С Секвенирование Авто-Track | Texas Instruments |
1026084 | PTC4001T | Транзистор силы микроволны NPN | Philips |
1026085 | PTD08A020W | 20А, 4,75 14В, неизолированный, модуль дискретного Powertrain | Texas Instruments |
1026086 | PTD08A210W | Одноместный 10-выход, 4,75 к 14V Input, неизолированный, модуль дискретного Powertrain | Texas Instruments |
1026087 | PTEA404120 | 50-Вт, 48-V вход, 12-В вывод, изолированный конвертер DC / DC | Texas Instruments |
1026088 | PTF | Промышленный, очень низкий коэффициент шума и
напряжения тока, малый пакет, лазер 100% закрутил в спираль,
очень хорошие высокочастотные характеристики, имеющийся испытывать
принятия, может заменить катушкы Wirewound, главное предохранение
от влаги | Vishay |
1026089 | PTF080101 | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ 10W/ СИЛЫ LDMOS
RF 860-960MHZ | Infineon |
1026090 | PTF080101S | ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ 10W/ СИЛЫ LDMOS
RF 860-960MHZ | Infineon |
1026091 | PTF080451 | Транзистор Влияния Поля 45 Силы LDMOS Rf
С 869-960 Мегацикл | Infineon |
1026092 | PTF080451E | Транзистор Влияния Поля 45 Силы LDMOS Rf
С 869-960 Мегацикл | Infineon |
1026093 | PTF080601 | Транзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf
С 860-960 Мегацикл | Infineon |
1026094 | PTF080601A | Транзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf
С 860-960 Мегацикл | Infineon |
1026095 | PTF080601E | Транзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf
С 860-960 Мегацикл | Infineon |
1026096 | PTF080601F | Транзистор Влияния Поля 60 Силы LDMOS Rf
С 860-960 Мегацикл | Infineon |
1026097 | PTF080901 | Транзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf
С 869-960 Мегацикл | Infineon |
1026098 | PTF080901E | Транзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf
С 869-960 Мегацикл | Infineon |
1026099 | PTF080901F | Транзистор Влияния Поля 90 Силы LDMOS Rf
С 869-960 Мегацикл | Infineon |
1026100 | PTF10007 | 35 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026101 | PTF10009 | 85 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026102 | PTF10015 | 50 Ватт, 300.960 Транзистор Влияния Поля
Мегацикла GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026103 | PTF10019 | ная<> | Ericsson Microelectronics |
1026104 | PTF10020 | 125 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля
Мегацикла GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026105 | PTF10021 | 30 Ватт, 1.4.1.6 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026106 | PTF10031 | 50 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026107 | PTF10036 | 85 Ватт, 860.960 Транзистор Влияния Поля
Мегацикла GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026108 | PTF10043 | 12 Ватта, 1.9.2.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026109 | PTF10045 | 30 Ватт, 1.60.1.65 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026110 | PTF10048 | 30 Ватт, 2.1.2.2 Гигагерца, Транзистор
Влияния Поля W-CDMA GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026111 | PTF10052 | 35 Ватт, 1.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026112 | PTF10053 | 12 Ватта, 2.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026113 | PTF10065 | 30 Ватт, 1.93.1.99 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026114 | PTF10100 | 165 Ватт, 860.900 Транзистор Влияния Поля
Мегацикла LDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026115 | PTF10107 | 5 Ватт, 2.0 Транзистор Влияния Поля Гигагерца
GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026116 | PTF10111 | 6 Ватт, 1.5 Транзистор Влияния Поля Гигагерца
GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026117 | PTF10112 | 60 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026118 | PTF10119 | 12 Ватта, 2.1.2.2 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026119 | PTF10120 | 120 Ватт, 1.8.2.0 Транзистор Влияния Поля
Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
1026120 | PTF10122 | 50 Ватт WCDMA, 2.1.2.2 Транзистора
Влияния Поля Гигагерца GOLDMOS | Ericsson Microelectronics |
| | | |