| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1030001 | Q62702-F664 | ТРАНЗИСТОРЫ RF КРЕМНИЯ PNP | Siemens |
| 1030002 | Q62702-F678 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ | Siemens |
| 1030003 | Q62702-F704 | Диод переключения кремния (для высокого переключения
скорости) | Siemens |
| 1030004 | Q62702-F721 | Транзисторы кремния NPN (высокое напряжение тока
нервного расстройства л низкое напряжение тока сатурации коллектор-
эмиттера) | Siemens |
| 1030005 | Q62702-F722 | Транзисторы кремния PNP (высокое напряжение тока
сатурации коллектор- эмиттера напряжения тока нервного расстройства
низкое) | Siemens |
| 1030006 | Q62702-F739 | Диод переключения кремния (для высокого переключения
скорости) | Siemens |
| 1030007 | Q62702-F774 | Транзистор rf кремния NPN (для малошумного
ЕСЛИ и широкополосных усилителей в антенне и систем радиосвязей на
течениях сборника от 2mA к 20mA) | Siemens |
| 1030008 | Q62702-F775 | Транзистор rf кремния NPN (для широкополосных
усилителей до 2 гигагерцев и быстрых non-saturated
переключателей на течениях сборника от 1 mA до 20 mA.) | Siemens |
| 1030009 | Q62702-F776 | Транзистор rf кремния NPN (для усилителей
низк-iskajeni4 широкополосных до 2 гигагерцев на течениях
сборника от 10 mA до 30 mA.) | Siemens |
| 1030010 | Q62702-F788 | Транзистор rf кремния NPN (для малошумных
усилителей в ряде гигагерца, и широкополосных сетноых-аналогов и
цифровых применений) | Siemens |
| 1030011 | Q62702-F803 | Транзистор rf кремния PNP (для широкополосных
усилителей до 2 гигагерцев на течениях сборника от 5 mA до
30 mA.) | Siemens |
| 1030012 | Q62702-F804 | Транзистор rf кремния PNP (для широкополосных
усилителей до 2 гигагерцев на течениях сборника up to
20 mA.) | Siemens |
| 1030013 | Q62702-F869 | Транзистор rf кремния PNP (для ГЕНЕРАТОРОВ,
СМЕСИТЕЛЕЙ И ЭТАПОВ СМЕСИТЕЛЯ SELF-OSCILLATING В uhf
ТЮНЕРАХ tv) | Siemens |
| 1030014 | Q62702-F884 | Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния PNP
(целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного
расстройства televizora и источников питания переключения
высоком) | Siemens |
| 1030015 | Q62702-F885 | Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния NPN
(целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного
расстройства televizora и источников питания переключения
высоком) | Siemens |
| 1030016 | Q62702-F935 | ТРАНЗИСТОР rf КРЕМНИЯ NPN (для линейных
широкополосных применений усилителя водитель фильтра ПИЛЫ up
to 500 мегациклов в тюнерах tv) | Siemens |
| 1030017 | Q62702-F936 | Тетрод mosfet канала н кремния (для этапов
входного сигнала и смесителя в тюнерах FM и vhf tv) | Siemens |
| 1030018 | Q62702-F938 | Транзистор rf кремния NPN (для усилителей и
генераторов низкого искажения широкополосных до 2GHz на течениях
сборника от 0.5mA к 20mA) | Siemens |
| 1030019 | Q62702-F940 | Транзистор rf кремния NPN (для широкополосных
усилителей до 1GHz на течениях сборника от 1mA к 20mA) | Siemens |
| 1030020 | Q62702-F944 | Транзистор rf кремния PNP (для общих этапов
усилителя излучателя up to 300 мегациклов для
применений смесителя в радиоих AM/FM и тюнерах vhf tv) | Siemens |
| 1030021 | Q62702-F976 | Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния NPN
(целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного
расстройства televizora и источников питания переключения
высоком) | Siemens |
| 1030022 | Q62702-F977 | Транзисторы Высок-Napr4jeni4 тока кремния PNP
(целесообразные для видео- этапов выхода в напряжении тока нервного
расстройства televizora и источников питания переключения
высоком) | Siemens |
| 1030023 | Q62702-F979 | Транзистор rf кремния NPN (емкость обратной
связи общего усилителя излучателя IF/RF низкая должная к диффузии
экрана) | Siemens |
| 1030024 | Q62702-F982 | Транзистор rf кремния PNP (для применений
генератора vhf) | Siemens |
| 1030025 | Q62702-G0041 | ММИЧ-Usilitel6 кремния двухполярный
(cascadable 50 Ш-priobretaht увеличение dB блока 9
типичное на 1.0 dBm типичном P-1dB гигагерца 9 на
1.0 дБ-wirine полосы частот гигагерца 3: Dc до
2.4 гигагерца) | Siemens |
| 1030026 | Q62702-G0042 | ММИЧ-Usilitel6 кремния двухполярный
(cascadable 50 Ш-priobretaht увеличение dB блока
11 типичное на 1.0 dBm типичном P-1dB гигагерца 9
на 1.0 гигагерцах) | Siemens |
| 1030027 | Q62702-G0043 | ММИЧ-Usilitel6 кремния двухполярный
(cascadable 50 Ш-priobretaht увеличение dB блока
16 типичное на 1.0 dBm типичном P-1dB гигагерца
12 на 1.0 гигагерцах) | Siemens |
| 1030028 | Q62702-G0057 | Kremni1-MMIC-Amplifierin SIEGET
25-Technologie (cascadable блок 50 ?gain
безусловно стабилизированный) | Siemens |
| 1030029 | Q62702-G0058 | Кремни-ММИЧ-Usilitel6 в SIEGET
25-Technologie (многофункциональном casc. 50
?block LNA/SMEWIVANIE безусловно стабилизированное) | Siemens |
| 1030030 | Q62702-G0067 | Кремни-ММИЧ-Usilitel6 в SIEGET
25-Technologie (cascadable 50 Ш-priobretaht блок
безусловно стабилизированный) | Siemens |
| 1030031 | Q62702-G0071 | GaAs MMIC (переменный ММИЧ-Usilitel6
усилителя увеличения для передвижного ряда излишек 50dB
управлением увеличения связи) | Siemens |
| 1030032 | Q62702-G38 | Блок диода переключения кремния (обломок диода
переключателя скорости конфигурации моста высокий) | Siemens |
| 1030033 | Q62702-G44 | GaAs MMIC (монолитовый ММИЧ-Usilitel6
IC микроволны для передвижного сообщения) | Siemens |
| 1030034 | Q62702-K0047 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode в
SMT НОВОМ: фотодиод ШТЫРЯ кремния 2-Chip в SMT | Siemens |
| 1030035 | Q62702-K34 | Блок Фотодиода ШТЫРЯ Кремния
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030036 | Q62702-K35 | Блок Фотодиода ШТЫРЯ Кремния
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030037 | Q62702-K8 | Блок Фотодиода Кремния
3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip | Siemens |
| 1030038 | Q62702-L90 | Fet gaAs (усилитель силы для мобильных
телефонов для частот от 400 мегациклов до 2.5 гигагерца) | Siemens |
| 1030039 | Q62702-L94 | Fet gaAs (усилитель силы для мобильных
телефонов для частот от 400 мегациклов до 2.5 гигагерца) | Siemens |
| 1030040 | Q62702-L96 | Fet gaAs (усилитель силы для мобильных
телефонов для частот до 3 гигагерцев) | Siemens |
| | | |
