| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1052681 | RFD8P06LESM | Ом ESD 8ЈA/ 60V/ 0.300
Расклассифицировал Mosfet Силы П-Kanala Логики Ровный | Intersil |
| 1052682 | RFF60P06 | 25ЈA/ 60V/ Mosfet Силы П-Kanala
0 030 Омов | Intersil |
| 1052683 | RFF70N06 | 25ЈA/ 60V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.025 Омов | Intersil |
| 1052684 | RFG30P05 | 30A/ 50V/ MOSFETs Силы П-Kanala
0.065 Омов | Intersil |
| 1052685 | RFG30P06 | 30A/ 60V/ MOSFETs Силы П-Kanala
0.065 Омов | Intersil |
| 1052686 | RFG40N10 | 40A, 100V, 0.040 Ома, MOSFETs Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052687 | RFG40N10 | 40A/ 100V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.040 Омов | Intersil |
| 1052688 | RFG40N10LE | 40A/ 100V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
Уровня Логики 0.040 Омов | Intersil |
| 1052689 | RFG45N06 | Лавина 45ЈA/ 60V/ Расклассифицировала
MOSFETs Силы Повышени-Rejima Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052690 | RFG45N06 | 45ЈA/ 60V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.028 Омов | Intersil |
| 1052691 | RFG50N05 | 50A/ 50V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.022 Омов | Intersil |
| 1052692 | RFG50N05L | 50A/ 50V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
Уровня Логики 0.022 Омов | Fairchild Semiconductor |
| 1052693 | RFG50N05L | 50A/ 50V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
Уровня Логики 0.022 Омов | Intersil |
| 1052694 | RFG50N06 | 50A/ 60V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.022 Омов | Intersil |
| 1052695 | RFG50N06LE | 50A/ 60V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
Уровня Логики 0.022 Омов | Intersil |
| 1052696 | RFG60P03 | 60A, 30V, 0.027 Ома, MOSFETs Силы
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052697 | RFG60P03 | 60A/ 30V/ MOSFETs Силы П-Kanala
0.027 Омов | Intersil |
| 1052698 | RFG60P05E | 60A, 50V, 0 030 Ома,
Расклассифицированное ESD, Mosfet Силы П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052699 | RFG60P05E | 60A/ 50V/ 0.030 Ohm/ ESD Rated/ P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 1052700 | RFG60P06E | 60A, 60V, 0 030 Ома,
Расклассифицированное ESD, Mosfet Силы П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052701 | RFG70N06 | 70A, 60V, 0.014 Ома, MOSFETs Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052702 | RFG70N06 | 70A/ 60V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.014 Омов | Intersil |
| 1052703 | RFG75N05E | 75ЈA, 50V, 0.008 Ома, Mosfet Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1052704 | RFG75N05E | 75ЈA/ 50V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.008 Омов | Intersil |
| 1052705 | RFH10N45 | 10A/ 450V и 500V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.600 омов | Intersil |
| 1052706 | RFH10N50 | 10A/ 450V и 500V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.600 омов | Intersil |
| 1052707 | RFH12N35 | 12ЈA/ 350V и 400V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.380 омов | Intersil |
| 1052708 | RFH12N40 | 12ЈA/ 350V и 400V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.380 омов | Intersil |
| 1052709 | RFH25P08 | 25ЈA/ -100V и -80V/ mOSFETs силы
П-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052710 | RFH25P10 | 25ЈA/ -100V и -80V/ mOSFETs силы
П-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052711 | RFHCS362F | RfHCS362G будет шифратором охмеления Кодего
конструированным для обеспеченных дистанционных систем совмещенных с
310MHz - передатчика входа Keyless (RKE) 480MHz
ASK/FSK. HCS362 использует технологию охмеления
KEELOQ® microchip's запатентованную, которое
включает | Microchip |
| 1052712 | RFHCS362G | RfHCS362G будет шифратором охмеления Кодего
конструированным для обеспеченных дистанционных систем входа
Keyless (RKE) совмещенных с 310MHz - 480MHz
СПРАШИВАЮТ передатчик. HCS362 использует технологию
охмеления KEELOQ® microchip's запатентованную,
которая включает hi | Microchip |
| 1052713 | RFK25N18 | 25ЈA/ 180V и 200V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052714 | RFK25N20 | 25ЈA/ 180V и 200V/ mOSFETs силы
Н-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052715 | RFK25P08 | 25ЈA/ -100V и -80V/ mOSFETs силы
П-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052716 | RFK25P10 | 25ЈA/ -100V и -80V/ mOSFETs силы
П-Kanala 0.150 омов | Intersil |
| 1052717 | RFK70N06 | 70A/ 60V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.014 Омов | Intersil |
| 1052718 | RFL1N08 | 1A/ 80V и 100V/ 1.200 mOSFETs
силы ома N-Channel/ | Intersil |
| 1052719 | RFL1N10 | 1A/ 80V и 100V/ 1.200 mOSFETs
силы ома N-Channel/ | Intersil |
| 1052720 | RFL1N10L | 1A/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
Уровня Логики 1.200 Омов | Intersil |
| | | |
