| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1091721 | SI4411DY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091722 | SI4412ADY | 30-V (D-S) Определяют | Vishay |
| 1091723 | SI4412DY | Одиночный Mosfet PowerTrench Уровня Логики
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091724 | SI4412DY | 30-V (D-S) Определяют | Vishay |
| 1091725 | SI4413DY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091726 | SI4416DY | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1091727 | SI4416DY | Одиночный Mosfet Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091728 | SI4416DY | Н-Kanal 30-V (D-S) Диод Mosfet +
Schottky | Vishay |
| 1091729 | SI4416DYNCR-DS | Модель ДС-Speqii для Si4416DYncr | Vishay |
| 1091730 | SI4418DY | Mosfet Н-Kanala 200-V (D-S) | Vishay |
| 1091731 | SI4420DY | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 1091732 | SI4420DY | Одиночный Mosfet PowerTrench Уровня Логики
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091733 | SI4420DY | Н-Kanal 30-V (D-S) Диод Mosfet +
Schottky | Vishay |
| 1091734 | SI4420DY | 30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 1091735 | SI4420DYTR | 30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 1091736 | SI4420DY_NL | Mosfet PowerTrench Н-Kanala 30V | Fairchild Semiconductor |
| 1091737 | SI4421DY | Mosfet П-Kanala 20-V (d-S) с медным
Leadframe | Vishay |
| 1091738 | SI4423DY | Mosfet П-Kanala 20-V (d-S) с медным
Leadframe | Vishay |
| 1091739 | SI4425BDY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091740 | SI4425DY | Одиночный П-Kanal, Уровень Логики, Mosfet
PowerTrench TM | Fairchild Semiconductor |
| 1091741 | SI4425DY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091742 | SI4426DY | 20-V (D-S) Определяют | Vishay |
| 1091743 | SI4427BDY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091744 | SI4427DY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091745 | SI4429EDY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091746 | SI4430DY | Н-Kanal 30-V (D-S) Диод Mosfet +
Schottky | Vishay |
| 1091747 | SI4431 | Mosfet PowerTrench Уровня Логики
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091748 | SI4431ADY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091749 | SI4431BDY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091750 | SI4431DY | Mosfet PowerTrench Уровня Логики
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091751 | SI4431DY | 30-V (D-S) Определяют | Vishay |
| 1091752 | SI4431DY_NL | Mosfet PowerTrench Уровня Логики
П-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 1091753 | SI4433DY | Mosfet П-Kanala 1.8V (G-S) | Vishay |
| 1091754 | SI4434DY | Mosfet Н-Kanala 250-V (D-S) | Vishay |
| 1091755 | SI4434DY-E3 | Mosfet Н-Kanala 250-V (D-S) | Vishay |
| 1091756 | SI4434DY-T1-E3 | Mosfet Н-Kanala 250-V (D-S) | Vishay |
| 1091757 | SI4435BDY | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| 1091758 | SI4435DY | Mosfet PowerTrench П-Kanala 30V | Fairchild Semiconductor |
| 1091759 | SI4435DY | -30V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 1091760 | SI4435DY-REVA | Mosfet П-Kanala 30-V (D-S) | Vishay |
| | | |
