| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1161 | 1.5CE400A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1162 | 1.5CE400CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1163 | 1.5CE43A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1164 | 1.5CE440CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1165 | 1.5CE51A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1166 | 1.5CE51CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1167 | 1.5CE56A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1168 | 1.5CE56CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1169 | 1.5CE6.8A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1170 | 1.5CE6.8CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1171 | 1.5CE62A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1172 | 1.5CE62CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1173 | 1.5CE68A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1174 | 1.5CE68CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1175 | 1.5CE7.5A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1176 | 1.5CE7.5CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1177 | 1.5CE75A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1178 | 1.5CE75CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1179 | 1.5CE8.2A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1180 | 1.5CE8.2CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1181 | 1.5CE82A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1182 | 1.5CE9.1CA | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1183 | 1.5CE91A | Освинцованный Переходный процесс Supressor
Zener diode | Central Semiconductor |
| 1184 | 1.5FMCJ100 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 90.0V (мин), 1 | Rectron Semiconductor |
| 1185 | 1.5FMCJ100A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 95.0V (мин), 1 | Rectron Semiconductor |
| 1186 | 1.5FMCJ110 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 99.0V (мин), 1 | Rectron Semiconductor |
| 1187 | 1.5FMCJ110A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 105V (мин), 11 | Rectron Semiconductor |
| 1188 | 1.5FMCJ120 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 108V (мин), 13 | Rectron Semiconductor |
| 1189 | 1.5FMCJ120A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 114V (мин), 12 | Rectron Semiconductor |
| 1190 | 1.5FMCJ130 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 117V (мин), 14 | Rectron Semiconductor |
| 1191 | 1.5FMCJ130A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 124V (мин), 13 | Rectron Semiconductor |
| 1192 | 1.5FMCJ150 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 135V (мин), 16 | Rectron Semiconductor |
| 1193 | 1.5FMCJ150A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 143V (мин), 15 | Rectron Semiconductor |
| 1194 | 1.5FMCJ160 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 144V (мин), 17 | Rectron Semiconductor |
| 1195 | 1.5FMCJ160A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 152V (мин), 16 | Rectron Semiconductor |
| 1196 | 1.5FMCJ170 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 153V (мин), 18 | Rectron Semiconductor |
| 1197 | 1.5FMCJ170A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 162V (мин), 17 | Rectron Semiconductor |
| 1198 | 1.5FMCJ180 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 162V (мин), 19 | Rectron Semiconductor |
| 1199 | 1.5FMCJ180A | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 171V (мин), 18 | Rectron Semiconductor |
| 1200 | 1.5FMCJ200 | Для установки на поверхности подавитель напряжения (TVS). 1500W пиковая мощность, 5.0W устойчивое состояние. Напряжение пробоя 180V (мин), 22 | Rectron Semiconductor |
| | | |
