|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29138 | 29139 | 29140 | 29141 | 29142 | 29143 | 29144 | 29145 | 29146 | 29147 | 29148 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1165681STGE50NB60HDN-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165682STGE50NB60HDN-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165683STGE50NC60VD50, 600 V очень быстро IGBTST Microelectronics
1165684STGE50NC60WDУльтра быстрый "W" серияST Microelectronics
1165685STGF10H60DFТренч ворот поля остановка IGBT серии H 600 V, 10 высокоскоростнойST Microelectronics
1165686STGF10NB60SDN-CHANNEL 600V 10A TO-220FP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165687STGF10NC60HDОчень быстро серии "H"ST Microelectronics
1165688STGF10NC60KD6, 600 V короткого замыкания Прочный IGBTST Microelectronics
1165689STGF10NC60SD10, 600 V, быстрый IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165690STGF14NC60KD14, 600 V, короткое замыкание прочный IGBTST Microelectronics
1165691STGF15H60DFТренч ворот поля остановка IGBT серии H 600 V, 15 высокоскоростнойST Microelectronics
1165692STGF17NC60SD17, 600 V, низкое падение IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165693STGF19NC60HD19, 600 V, очень быстро IGBT с сверхбыстрой диодаST Microelectronics
1165694STGF19NC60KDкороткое замыкание прочный IGBTST Microelectronics
1165695STGF20H60DF600 В, 20 высокоскоростной траншеи ворота поля остановка IGBTST Microelectronics
1165696STGF20NB60SN-CHANNEL 13ЈA - 600V TO-220FP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165697STGF30H60DF600 V, 30 высокоскоростной траншеи ворота поля остановка IGBTST Microelectronics
1165698STGF35HF60W12, 600 V Ultrafast IGBTST Microelectronics
1165699STGF3NB60FDN-CHANNEL 3ЈA - 600V TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165700STGF3NC120HDN-CHANNEL 3ЈA - 1200V - TO-220FP - БЫСТРОЕ POWERMESH IGBT С МОНОЛИТНО ДИОДОМ ДЕМФЕРАST Microelectronics
1165701STGF6NC60HDОчень быстро серии "H"ST Microelectronics
1165702STGF7NB60SLN-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165703STGF7NC60HDN-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP/D2PAK ОЧЕНЬ БЫСТРОЕ POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165704STGF7NC60KDN-CHANNEL 7A - 600V - КОРОТКЯ ЗАМЫКАНИЕ TO-220/TO-220FP/D2PAK РАСКЛАССИФИЦИРОВАЛО PowerMESH "IGBTST Microelectronics
1165705STGF8NC60KDНовая серия от короткого замыкания прочный "K"ST Microelectronics
1165706STGFW20H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 20 высокоскоростнойST Microelectronics
1165707STGFW20V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165708STGFW20V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165709STGFW30H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 30 высокоскоростнойST Microelectronics
1165710STGFW30NC60V40, 600 V, очень быстро IGBTST Microelectronics
1165711STGFW30V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165712STGFW30V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165713STGFW35HF60W18, 600 V Ultrafast IGBTST Microelectronics
1165714STGFW40H65FBТренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростнойST Microelectronics
1165715STGFW40V60DFТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165716STGFW40V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165717STGFW45HF60W23, 600 V Ultrafast IGBTST Microelectronics
1165718STGFW80V60FТренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скоростьST Microelectronics
1165719STGIPL14K60SLLIMM (TM) маленький низкими потерями умный литой модуль IPM, 3-фазный инвертор - 15, 600 V короткого замыкания Прочный IGBTST Microelectronics
1165720STGIPL14K60-SSLLIMM (TM) маленький низкими потерями умный литой модуль IPM, 3-фазный инвертор - 15, 600 V короткого замыкания Прочный IGBTST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29138 | 29139 | 29140 | 29141 | 29142 | 29143 | 29144 | 29145 | 29146 | 29147 | 29148 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com