| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1176321 | STP4NK80ZFP | N-CHANNEL 800V - 3 ОМА - MOSFET СИЛЫ
3ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1176322 | STP4NM60 | N-CHANNEL 600V - 1.3 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 3ЈA TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH | ST Microelectronics |
| 1176323 | STP50N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176324 | STP50N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176325 | STP50N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176326 | STP50N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176327 | STP50N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176328 | STP50N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176329 | STP50N06LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176330 | STP50NE08 | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1176331 | STP50NE08 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176332 | STP50NE10 | N-CHANNEL 100V - 0.021 ОМА - 50A -
MOSFET СИЛЫ TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176333 | STP50NE10 | Н - КАНАЛ 100V - 0.021Ohm - Mosfet
СИЛЫ 50A TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176334 | STP50NE10L | N-CHANNEL 100V - 0.020 ОМА - 50A -
MOSFET СИЛЫ TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1176335 | STP50NE10L | Н - КАНАЛ 100V - 0.020Ohm - Mosfet
СИЛЫ 50A TO-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176336 | STP50NF25 | N-канальный 250 В, 0,055 Ом, 45, К-220 с низким заряд затвора STripFET (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1176337 | STP52N25M5 | N-канальный 250 В, 0,055 Ом, 28, К-220 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176338 | STP53N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 1176339 | STP53N08 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176340 | STP53N08 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176341 | STP53N08 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176342 | STP55NE06 | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1176343 | STP55NE06 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176344 | STP55NE06FP | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1176345 | STP55NE06FP | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1176346 | STP55NE06L | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 1176347 | STP55NE06L | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176348 | STP55NE06LFP | Н - Mosfet РАЗМЕРА ?OWER ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176349 | STP55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176350 | STP55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176351 | STP55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176352 | STP55NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.017 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 50A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176353 | STP55NF06 | MOSFET СИЛЫ ОМА 50A TO-220/TO-220FP/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 60V 0.017 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176354 | STP55NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.017 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 50A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1176355 | STP55NF06FP | MOSFET СИЛЫ ОМА 50A TO-220/TO-220FP/I2PAK
STRIPFET II N-CHANNEL 60V 0.017 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176356 | STP55NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA T0-220/TO-22ЈOFP/D2PAK/I2PAK STRIPFET
II | ST Microelectronics |
| 1176357 | STP55NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176358 | STP55NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.014 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 55ЈA T0-220/TO-22ЈOFP/D2PAK/I2PAK STRIPFET
II | ST Microelectronics |
| 1176359 | STP57N65M5 | N-канальный 650 В, 0,056 Ом тип., 42 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176360 | STP5N105K5 | N-канальный 1050 V, 2,9 Ом тип., 3 A MDmesh K5 Полевые транзисторы в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| | | |
