|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29469 | 29470 | 29471 | 29472 | 29473 | 29474 | 29475 | 29476 | 29477 | 29478 | 29479 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1178921STRVS241X02EПодавитель ST Повторяющиеся напряженияST Microelectronics
1178922STRVS248X02CПодавитель ST Повторяющиеся напряженияST Microelectronics
1178923STRVS252X02FПодавитель ST Повторяющиеся напряженияST Microelectronics
1178924STRVS280X02FПодавитель ST Повторяющиеся напряженияST Microelectronics
1178925STRW6754Всеобщий Регулятор Переключения Flyback Входного сигнала 100W OffLine Цуаси-Rezoniruh5i1Allegro MicroSystems
1178926STRZ2154Цепь STR-Z2154TOSHIBA
1178927STS10DN3LH5Dual N-канальный 30 В, 0,019 Ома ;, 10, SO-8 STripFET (TM); В Мощность MOSFETST Microelectronics
1178928STS10N3LH5N-канальный 30 В, 0,019 Ома ;, 10, SO-8 STripFET (TM); В Мощность MOSFETST Microelectronics
1178929STS10NF30LN-CHANNEL 30V - 0.011 ОМА - MOSFET СИЛЫ 10A SO-8 STRIPFETST Microelectronics
1178930STS10NF30LН - КАНАЛ 30V - 0.011Ohms - Mosfet СИЛЫ 10A SO-8 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1178931STS10PF30LP-CHANNEL 30V - 0.012 ОМА - MOSFET СИЛЫ 10A SO-8 STRIPFET IIST Microelectronics
1178932STS11NF30LN-CHANNEL 30V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙST Microelectronics
1178933STS11NF30LN-CHANNEL 30V - 0.009 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1178934STS11NF30LN-CHANNEL 30V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1178935STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙST Microelectronics
1178936STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.009 Ома - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1178937STS11NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 11A SO-8 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1178938STS123Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN ПлоскостнойAUK Corp
1178939STS12N3LLH5N-канальный 30 В, 0,0063 Ом, 12, SO-8, STripFET (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1178940STS12NF30LN-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET СИЛЫ 12ЈA SO-8 STRIPFET IIST Microelectronics
1178941STS12NF30LН - КАНАЛ 30V - 0.0085ЈOhm - Mosfet СИЛЫ 12ЈA SO-8 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1178942STS12NF30LN-CHANNEL 30V - 0.008 ОМА - MOSFET СИЛЫ 12ЈA SO-8 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1178943STS12NH3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 Ома - Mosfet STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 12ЈA SO-8 УЛЬТРА™ НИЗКИЙST Microelectronics
1178944STS13N3LLH5N-канальный 30 В, 0,006 Ом, 13, SO-8 STripFET (TM) V Мощность MOSFETST Microelectronics
1178945STS17NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.0045 ОМА - MOSFET 17A SO-8 STRIPFET II ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1178946STS17NF3LLMOSFET ОМА 17A SO-8 STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.0045 ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCSGS Thomson Microelectronics
1178947STS19N3LLH6N-канальный 30 В, 0.0049 Ом, 19, SO-8 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
1178948STS1C1S250N-CHANNEL 250V - 0.9 ОМА - 0.75ЈA - P-CHANNEL 250V - 2.1 ОМА - MOSFET СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 0.6ЈA SO-8ST Microelectronics
1178949STS1DNC45ДВОЙНОЕ N-CHANNEL 450V - 4.1 ОМА - MOSFET СИЛЫ 0.4ЈA SO-8 SUPERMESHST Microelectronics
1178950STS1HNC60MOSFET ОМА 0.4ЈA SO-8 POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7ST Microelectronics
1178951STS1HNC60MOSFET ОМА 0.4ЈA SO-8 POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7SGS Thomson Microelectronics
1178952STS1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 ОМОВ - MOSFET СИЛЫ 0.3ЈA SO-8 SUPERMESHST Microelectronics
1178953STS1NC60MOSFET ОМА 0.3ЈA SO-8 POWERMESH II N-CHANNEL 600V 12ST Microelectronics
1178954STS1NC60MOSFET ОМА 0.3ЈA SO-8 POWERMESH II N-CHANNEL 600V 12SGS Thomson Microelectronics
1178955STS1NK60ZMOSFET СИЛЫ ОМА 0.25ЈA SO-8 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL 600V 13ST Microelectronics
1178956STS1TXНизкая скорость передачи данных, низкая мощность суб-1GHz передатчикST Microelectronics
1178957STS1TXQTRНизкая скорость передачи данных, низкая мощность суб-1GHz передатчикST Microelectronics
1178958STS25NH3LLN-CHANNEL 30V - 0.0027 ОМА - MOSFET 25ЈA SO-8 STRIPFET III ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCST Microelectronics
1178959STS25NH3LLMOSFET ОМА 25ЈA SO-8 STRIPFET III N-CHANNEL 30V 0.0027 ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ DC-DCSGS Thomson Microelectronics
1178960STS26N3LLH6N-канальный 30 В, 0,0038 Ом, 26, SO-8 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFETST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29469 | 29470 | 29471 | 29472 | 29473 | 29474 | 29475 | 29476 | 29477 | 29478 | 29479 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com