|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 32751 | 32752 | 32753 | 32754 | 32755 | 32756 | 32757 | 32758 | 32759 | 32760 | 32761 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1310201VN2406FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310202VN2406DТранзисторы Mosfet Повышени-RejimaVishay
1310203VN2406LТранзисторы Mosfet Повышени-RejimaVishay
1310204VN2406LFet Transistor(N-Channel) TMOSMotorola
1310205VN2406LFETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310206VN2406LНебольшие сигнала MOSFET 200 mAmps, 240 ВольтON Semiconductor
1310207VN2406L-DМалые mAmps mosfet 200 сигнала, 240 вольтов Н-Kanala TO-92ON Semiconductor
1310208VN2410FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310209VN2410CHP240 В, 10 Ом N-канальный повышение сторону D-MOS FETTopaz Semiconductor
1310210VN2410LТранзисторы Mosfet Повышени-RejimaVishay
1310211VN2410LFet Transistor(N-Channel) TMOSMotorola
1310212VN2410LFETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310213VN2410LМалые mAmps mosfet 200 сигнала, 240 вольтов Н-Kanala TO-92ON Semiconductor
1310214VN2410L240 В, 10 Ом N-канальный повышение сторону D-MOS FETTopaz Semiconductor
1310215VN2410L-DМалые mAmps mosfet 200 сигнала, 240 вольтов Н-Kanala TO-92ON Semiconductor
1310216VN2410LSТранзисторы Mosfet Повышени-RejimaVishay
1310217VN2410LZL1Малые mAmps mosfet 200 сигнала, 240 вольтов Н-Kanala TO-92ON Semiconductor
1310218VN2410M240 В, 10 Ом N-канальный повышение сторону D-MOS FETTopaz Semiconductor
1310219VN2450FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310220VN2450N3FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310221VN2450N8FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310222VN2450NWFETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310223VN2460FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310224VN2460N3FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310225VN2460N8FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310226VN2460NWFETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310227VN30NРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕSGS Thomson Microelectronics
1310228VN30N(011Y)РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310229VN30N(012Y)РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310230VN30NSPРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕSGS Thomson Microelectronics
1310231VN30NSPРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310232VN31РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310233VN31РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕSGS Thomson Microelectronics
1310234VN31(011Y)РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310235VN31(012Y)РЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310236VN31SPРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310237VN31SPРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕSGS Thomson Microelectronics
1310238VN31SP13TRРЕЛЕИЙ ВЫСОКОЙ БОРТОВОЙ ФРАНТОВСКОЙ СИЛЫ ISO ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕST Microelectronics
1310239VN3205FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
1310240VN3205N3FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS Н-KanalaSupertex Inc
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 32751 | 32752 | 32753 | 32754 | 32755 | 32756 | 32757 | 32758 | 32759 | 32760 | 32761 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com