|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6287 | 6288 | 6289 | 6290 | 6291 | 6292 | 6293 | 6294 | 6295 | 6296 | 6297 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
251641BC847AMСерия BC847M; Транзисторы general purpose NPNPhilips
251642BC847AM, 100 мА NPN транзисторы 45 V общего назначенияNXP Semiconductors
251643BC847AMB, 100 мА NPN транзисторы 45 V общего назначенияNXP Semiconductors
251644BC847AMTFТранзистор Кремния NPN Эпитаксиальный - Высоковольтный ТранзисторFairchild Semiconductor
251645BC847ATТранзисторы general purpose NPNPhilips
251646BC847ATДвухполярные ТранзисторыDiodes
251647BC847ATGeneral purpose Amplifier/Switch Транзистора NPN Сигнала SMD МалоеCentral Semiconductor
251648BC847ATТранзисторы af кремния NPN (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения низкое)Infineon
251649BC847AT, 100 мА NPN транзисторы 45 V общего назначенияNXP Semiconductors
251650BC847AT-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251651BC847ATT1Общего назначения транзисторыON Semiconductor
251652BC847AWТранзисторы general purpose NPNPhilips
251653BC847AWДвухполярные ТранзисторыDiodes
251654BC847AWОбщего назначения транзисторы - пакет SOT323Infineon
251655BC847AWТранзистор af кремния NPN (для этапов входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого низкого)Siemens
251656BC847AWОбщего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251657BC847AWПоверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
251658BC847AW, 100 мА NPN транзисторы 45 V общего назначенияNXP Semiconductors
251659BC847AWNPN транзистор общего назначения и для решения задач коммутацииKorea Electronics (KEC)
251660BC847AW-7-FБиполярные транзисторыDiodes
251661BC847AW-GСлабый сигнал транзистора, V СВО = 50В, V CEO = 45В, V EBO = 6В, я C = 0.1AComchip Technology
251662BC847AWT1Общего назначения Кремний Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251663BC847AWT1СЛУЧАЙ 419-02, ВВОДИТ 3 SOT-323/SC-70 В МОДУMotorola
251664BC847AWT1Общего назначения Кремний Транзистора NPNON Semiconductor
251665BC847BТранзисторы general purpose NPNPhilips
251666BC847BДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
251667BC847BМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNST Microelectronics
251668BC847BТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯZetex Semiconductors
251669BC847BДвухполярные ТранзисторыDiodes
251670BC847BМалые Транзисторы Сигнала (NPN)General Semiconductor
251671BC847BОбщего назначения транзисторы - пакет SOT323Infineon
251672BC847BМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNSGS Thomson Microelectronics
251673BC847BКРЕМНИЙ GENERAL PURPOSE TRANSISITOR NPNZowie Technology Corporation
251674BC847BТранзисторы af кремния NPN (для этапов входного сигнала af и увеличения применений водителя высокого в настоящее время)Siemens
251675BC847BТранзистор 310mW Сигнала NPN МалыйMicro Commercial Components
251676BC847BGeneral purpose Amplifier/Switch Транзистора NPN Сигнала SMD МалоеCentral Semiconductor
251677BC847BТранзисторы, Rf & AfVishay
251678BC847BПоверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistorsDiotec Elektronische
251679BC847BТранзистор General purpose NPNROHM
251680BC847B, 100 мА NPN транзисторы 45 V общего назначенияNXP Semiconductors
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 6287 | 6288 | 6289 | 6290 | 6291 | 6292 | 6293 | 6294 | 6295 | 6296 | 6297 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com