| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 258121 | BDP496 | Mocy Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci
du.ej | Ultra CEMI |
| 258122 | BDP947 | Общего назначения транзисторы - транзистор силы af
кремния NPN для этапов водителя и выхода af | Infineon |
| 258123 | BDP947 | Транзисторы силы af кремния NPN (для
водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого
высокого в настоящее время) | Siemens |
| 258124 | BDP948 | Общего назначения транзисторы - пакет SOT223 | Infineon |
| 258125 | BDP948 | Транзистор силы af кремния PNP (для водителей
af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого
в настоящее время) | Siemens |
| 258126 | BDP949 | Общего назначения транзисторы - транзистор силы af
кремния NPN для этапов водителя и выхода af | Infineon |
| 258127 | BDP949 | Транзисторы силы af кремния NPN (для
водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого
высокого в настоящее время) | Siemens |
| 258128 | BDP950 | Общего назначения транзисторы - пакет SOT223 | Infineon |
| 258129 | BDP950 | Транзистор силы af кремния PNP (для водителей
af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого
в настоящее время) | Siemens |
| 258130 | BDP951 | Общего назначения транзисторы - транзистор силы af
кремния NPN для этапов водителя и выхода af | Infineon |
| 258131 | BDP951 | Транзисторы силы af кремния NPN (для
водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого
высокого в настоящее время) | Siemens |
| 258132 | BDP952 | Общего назначения транзисторы - пакет SOT223 | Infineon |
| 258133 | BDP952 | Транзистор силы af кремния PNP (для водителей
af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого
в настоящее время) | Siemens |
| 258134 | BDP953 | Общего назначения транзисторы - транзистор силы af
кремния NPN для этапов водителя и выхода af | Infineon |
| 258135 | BDP953 | Транзисторы силы af кремния NPN (для
водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого
высокого в настоящее время) | Siemens |
| 258136 | BDP954 | Общего назначения транзисторы - пакет SOT223 | Infineon |
| 258137 | BDP954 | Транзистор силы af кремния PNP (для водителей
af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого
в настоящее время) | Siemens |
| 258138 | BDP955 | Общего назначения транзисторы - транзистор силы af
кремния NPN для этапов водителя и выхода af | Infineon |
| 258139 | BDP955 | Транзисторы силы af кремния NPN (для
водителей af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого
высокого в настоящее время) | Siemens |
| 258140 | BDP956 | Общего назначения транзисторы - пакет SOT223 | Infineon |
| 258141 | BDP956 | Транзистор силы af кремния PNP (для водителей
af и увеличения течения сборника этапов выхода высокого высокого
в настоящее время) | Siemens |
| 258142 | BDS10 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258143 | BDS10IG | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТЕ
МЕТАЛЛА TO257 | SemeLAB |
| 258144 | BDS10SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258145 | BDS11 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258146 | BDS11IG | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТЕ
МЕТАЛЛА TO257 | SemeLAB |
| 258147 | BDS11SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258148 | BDS12 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258149 | BDS12IG | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТЕ
МЕТАЛЛА TO257 | SemeLAB |
| 258150 | BDS12SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258151 | BDS13 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258152 | BDS13SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258153 | BDS14 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258154 | BDS14SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258155 | BDS15 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258156 | BDS15SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258157 | BDS16 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258158 | BDS16SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258159 | BDS17 | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| 258160 | BDS17SMD | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТАХ
МЕТАЛЛА TO220 И КЕРАМИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ДЕРЖАТЕЛЯ SMD1 | SemeLAB |
| | | |
