| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 275401 | BUZ76A | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Infineon |
| 275402 | BUZ76A | 2.6ЈA/ 400V/ Mosfet Силы Н-Kanala
2.500 Омов | Intersil |
| 275403 | BUZ77A | Mosfet Силы | Infineon |
| 275404 | BUZ77A | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275405 | BUZ77B | Mosfet Силы | Infineon |
| 275406 | BUZ77B | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275407 | BUZ78 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275408 | BUZ80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 275409 | BUZ80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 275410 | BUZ80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 275411 | BUZ80 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275412 | BUZ80A | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 275413 | BUZ80A | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 275414 | BUZ80A | Н - КАНАЛ 800V - 2.5 Ома - 3.8ЈA -
TO-220 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ | SGS Thomson Microelectronics |
| 275415 | BUZ80A | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н) | Siemens |
| 275416 | BUZ80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 275417 | BUZ80FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 275418 | BUZ80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 275419 | BUZ81 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275420 | BUZ83 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275421 | BUZ83A | главным образом номинальности | Siemens |
| 275422 | BUZ88 | главным образом номинальности | Siemens |
| 275423 | BUZ88A | главным образом номинальности | Siemens |
| 275424 | BUZ90 | Mosfet Силы | Infineon |
| 275425 | BUZ90 | Транзистор силы SIPMOS (режим повышения канала н
Лавин-avalanche-rated) | Siemens |
| 275426 | BUZ900 | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 160V | Magnatec |
| 275427 | BUZ900D | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 160V | Magnatec |
| 275428 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275429 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275430 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275431 | BUZ900P | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 160V источник. | Magnatec |
| 275432 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 275433 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 275434 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 275435 | BUZ901 | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 200В | Magnatec |
| 275436 | BUZ901D | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 200В | Magnatec |
| 275437 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275438 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275439 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 275440 | BUZ901P | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 200V источник. | Magnatec |
| | | |
