Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
53801 | 2SC3053 | 150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 30мА Ic, от 35 до 180 HFE. соответствуют 2SC710 | Isahaya Electronics Corporation |
53802 | 2SC3059 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53803 | 2SC3059 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53804 | 2SC3059 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53805 | 2SC3060 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53806 | 2SC3060 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53807 | 2SC3060 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53808 | 2SC3061 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53809 | 2SC3061 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53810 | 2SC3061 | Транзистор Силы Кремния Высокоскоростной | Fujitsu Microelectronics |
53811 | 2SC3063 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы - Другие | Panasonic |
53812 | 2SC3064 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53813 | 2SC3064 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53814 | 2SC3064 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53815 | 2SC3065 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53816 | 2SC3065 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53817 | 2SC3065 | Кремний CompositeTransistor NPN
Эпитаксиальный Плоскостной | SANYO |
53818 | 2SC3066 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРА | SANYO |
53819 | 2SC3066 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРА | SANYO |
53820 | 2SC3066 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРА | SANYO |
53821 | 2SC3067 | Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера
Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ | SANYO |
53822 | 2SC3067 | Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера
Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ | SANYO |
53823 | 2SC3067 | Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера
Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ | SANYO |
53824 | 2SC3068 | Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального
плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli
Низк-Castoty | SANYO |
53825 | 2SC3069 | Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального
плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli
Низк-Castoty | SANYO |
53826 | 2SC3070 | Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального
плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli
Низк-Castoty | SANYO |
53827 | 2SC3071 | Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального
плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli
Низк-Castoty | SANYO |
53828 | 2SC3072 | Применений вспышки строба типа кремния NPN
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) средств | TOSHIBA |
53829 | 2SC3073 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
53830 | 2SC3073 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
53831 | 2SC3073 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
53832 | 2SC3074 | Применения переключения типа кремния NPN
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) высокие в настоящее
время | TOSHIBA |
53833 | 2SC3075 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный (процесса pct) и применения
конвертера применений DC-AC конвертера применений DC-DC
переключения высокого напряжения | TOSHIBA |
53834 | 2SC3076 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
53835 | 2SC3077 | Si NPN плоская. UHF усилитель, микшер. | Panasonic |
53836 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
53837 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
53838 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
53839 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
53840 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
| | | |