|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1341 | 1342 | 1343 | 1344 | 1345 | 1346 | 1347 | 1348 | 1349 | 1350 | 1351 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
538012SC3053150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 30мА Ic, от 35 до 180 HFE. соответствуют 2SC710Isahaya Electronics Corporation
538022SC3059Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538032SC3059Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538042SC3059Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538052SC3060Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538062SC3060Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538072SC3060Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538082SC3061Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538092SC3061Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538102SC3061Транзистор Силы Кремния ВысокоскоростнойFujitsu Microelectronics
538112SC3063Приспособление Силы - Транзисторы Силы - ДругиеPanasonic
538122SC3064Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538132SC3064Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538142SC3064Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538152SC3065Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538162SC3065Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538172SC3065Кремний CompositeTransistor NPN Эпитаксиальный ПлоскостнойSANYO
538182SC3066ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРАSANYO
538192SC3066ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРАSANYO
538202SC3066ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМПЕРАSANYO
538212SC3067Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕSANYO
538222SC3067Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕSANYO
538232SC3067Транзистора Кремния NPN ПРИМЕНЕНИЯ Ампера Эпитаксиального Плоскостного ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕSANYO
538242SC3068Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli Низк-CastotySANYO
538252SC3069Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli Низк-CastotySANYO
538262SC3070Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli Низк-CastotySANYO
538272SC3071Транзистора кремния NPN hFE эпитаксиального плоскостного высокое, применения усилителя Вообще-Qeli Низк-CastotySANYO
538282SC3072Применений вспышки строба типа кремния NPN транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса pct) средствTOSHIBA
538292SC3073ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ TYPE(PCT)TOSHIBA
538302SC3073ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ TYPE(PCT)TOSHIBA
538312SC3073ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ TYPE(PCT)TOSHIBA
538322SC3074Применения переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) высокие в настоящее времяTOSHIBA
538332SC3075Регулятор переключения типа кремния NPN транзистора втройне отраженный (процесса pct) и применения конвертера применений DC-AC конвертера применений DC-DC переключения высокого напряженияTOSHIBA
538342SC3076Применения переключения силы применений усилителя силы типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)TOSHIBA
538352SC3077Si NPN плоская. UHF усилитель, микшер.Panasonic
538362SC30802SC3080ROHM
538372SC30802SC3080ROHM
538382SC30802SC3080ROHM
538392SC3080M2SC3080ROHM
538402SC3080M2SC3080ROHM
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1341 | 1342 | 1343 | 1344 | 1345 | 1346 | 1347 | 1348 | 1349 | 1350 | 1351 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com