Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
602201 | K7I323682M | 1MX36 & 2MX18 DDRII CIO B2
SRAM | Samsung Electronic |
602202 | K7I323682M K7I321882M K7I320882M | Лист Данным по 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8
DDRII CIO b2 SRAM | Samsung Electronic |
602203 | K7I323682M K7I321882M K7I320882M | Лист Данным по 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8
DDRII CIO b2 SRAM | Samsung Electronic |
602204 | K7I323684M, K7I321884M, K7I320884M | 1Mx36-bit, 2Mx18-bit, Лист Данным по
4Mx8-bit DDRII CIO b4 SRAM | Samsung Electronic |
602205 | K7J161882B | 512KX36 & 1MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
602206 | K7J163682B | 512KX36 & 1MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
602207 | K7J321882M | 1MX36 & 2MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
602208 | K7J323682M | 1MX36 & 2MX18 DDR II SIO
B2 SRAM | Samsung Electronic |
602209 | K7M161825A-QC(I)65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602210 | K7M161825A-QC(I)65/75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602211 | K7M161825A-QC(I)75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602212 | K7M161835B-QC65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602213 | K7M161835B-QCI65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602214 | K7M163625A K7M163235A K7M161825A | 512Kx36/32 & 1Mx18-Bit Flow through
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602215 | K7M163625A-QC(I)65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602216 | K7M163625A-QC(I)75 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602217 | K7M163625M / K7M161825M | 512Kx36 & 1Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602218 | K7M163635B-QC65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602219 | K7M163635B-QCI65 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602220 | K7M321825M | 1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM | Samsung Electronic |
602221 | K7M321825M-QC75 | 1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit
NtRAM | Samsung Electronic |
602222 | K7M323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Пропускать-Cerez
NtRAM | Samsung Electronic |
602223 | K7M323625M K7M321825M | 1Mx36 & 2Mx18-Bit Flow through
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602224 | K7M323625M-QC75 | 1Mx36 & Прокладыванное трубопровод 2Mx18-Bit
NtRAM | Samsung Electronic |
602225 | K7M403625B K7M403225B K7M401825B | 128Kx36 & 128Kx32 & 256Kx18-Bit
Пропускать-Cerez NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602226 | K7M801825B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
602227 | K7M801825B-QC65 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
602228 | K7M801825B-QC65/75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
602229 | K7M801825B-QC75 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
602230 | K7M801825M | 256Kx36 & 512Kx18 Пропускать-Cerez
NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602231 | K7M803625A | 256Kx36Bit Flow through NtRAM.
Лист Данных | Samsung Electronic |
602232 | K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
602233 | K7M803625B K7M803225B K7M801825B | 256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18
Пропускать-Cerez NtRAM. Лист Данных | Samsung Electronic |
602234 | K7M803625B-QC65 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
602235 | K7M803625B-QC65/75 | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow through
NtRAM | Samsung Electronic |
602236 | K7M803625B-QC75 | 256Kx36 & Прокладыванное трубопровод
512Kx18-Bit NtRAMTM | Samsung Electronic |
602237 | K7M803625M | NtRAM Прокладыванное трубопровод 256Kx36-Bit.
Лист Данных | Samsung Electronic |
602238 | K7N04FM | MOSFET СИЛЫ ?NIFET?FULLY AUTOPROTECTED | SGS Thomson Microelectronics |
602239 | K7N161801A-Q(F)C(I)13 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
602240 | K7N161801A-Q(F)C(I)16 | 512Kx36 & Прокладыванное трубопровод 1Mx18
NtRAM | Samsung Electronic |
| | | |