| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 611201 | KM48V8104CK-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
| 611202 | KM48V8104CK-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 611203 | KM48V8104CK-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 611204 | KM48V8104CKL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
| 611205 | KM48V8104CKL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 611206 | KM48V8104CKL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 611207 | KM48V8104CS-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
| 611208 | KM48V8104CS-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 611209 | KM48V8104CS-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 611210 | KM48V8104CSL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
| 611211 | KM48V8104CSL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
| 611212 | KM48V8104CSL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
| 611213 | KM611001 | скорость cmos SRAM 1Bit 1M x
высокая | Samsung Electronic |
| 611214 | KM611001L | скорость cmos SRAM 1Bit 1M x
высокая | Samsung Electronic |
| 611215 | KM6161002A | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611216 | KM6161002B | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611217 | KM6161002C | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611218 | KM6164000B | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611219 | KM6164000BL-L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611220 | KM6164000BLI-L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611221 | KM6164000BLR-5L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611222 | KM6164000BLR-7L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611223 | KM6164000BLRI-10L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611224 | KM6164000BLRI-7L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611225 | KM6164000BLT-5L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611226 | KM6164000BLT-7L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611227 | KM6164000BLTI-10L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611228 | KM6164000BLTI-7L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 256Kx16
низкий | Samsung Electronic |
| 611229 | KM6164002 | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611230 | KM6164002E | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611231 | KM6164002I | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 611232 | KM616FS4110ZI-10 | 100 нс; V (см): от -2 до + 3В; 1W; 256 х 16-бит супер низкой мощности и низкого напряжения полный CMOS статическое ОЗУ | Samsung Electronic |
| 611233 | KM616FS4110ZI-7 | 70 нс; V (см): от -2 до + 3В; 1W; 256 х 16-бит супер низкой мощности и низкого напряжения полный CMOS статическое ОЗУ | Samsung Electronic |
| 611234 | KM62256 | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611235 | KM62256C | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611236 | KM62256C FAMILY | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611237 | KM62256CL | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611238 | KM62256CLG-4 | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611239 | KM62256CLG-4L | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| 611240 | KM62256CLG-5 | ШТОССЕЛЬ static cmos силы бита 32Kx8
низкий | Samsung Electronic |
| | | |
