Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
889161 | MMBC1623L4 | NPN (ТРАНЗИСТОР УСИЛИТЕЛЯ) | Samsung Electronic |
889162 | MMBC1623L4 | NPN усилитель кремниевый транзистор. | Motorola |
889163 | MMBC1623L5 | NPN (ТРАНЗИСТОР УСИЛИТЕЛЯ) | Samsung Electronic |
889164 | MMBC1623L5 | NPN усилитель кремниевый транзистор. | Motorola |
889165 | MMBC1623L6 | NPN усилитель кремниевый транзистор. | Motorola |
889166 | MMBC1623L6 | 50 В, 100 мА, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
889167 | MMBC1623L7 | NPN (ТРАНЗИСТОР УСИЛИТЕЛЯ) | Samsung Electronic |
889168 | MMBC1623L7 | NPN усилитель кремниевый транзистор. | Motorola |
889169 | MMBC1626L6 | NPN (ТРАНЗИСТОР УСИЛИТЕЛЯ) | Samsung Electronic |
889170 | MMBC1653N2 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889171 | MMBC1653N3 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889172 | MMBC1653N4 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889173 | MMBC1654N5 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889174 | MMBC1654N6 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889175 | MMBC1654N7 | NPN кремния высокого напряжения транзистора. | Motorola |
889176 | MMBD1000LT1 | Диод Переключения | Motorola |
889177 | MMBD1005LT1 | Диод Переключения | Motorola |
889178 | MMBD101 | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | Leshan Radio Company |
889179 | MMBD101 | Кремний горячей перевозчик UNF смеситель диод (барьер Шоттки диод). | Motorola |
889180 | MMBD1010LT1 | ДИОД ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | ON Semiconductor |
889181 | MMBD1010LT1 | , Низкое напряжение 45 V насыщения | Leshan Radio Company |
889182 | MMBD1010LT1-D | Диод Переключения | ON Semiconductor |
889183 | MMBD1010T1 | , Низкое напряжение 45 V насыщения | Leshan Radio Company |
889184 | MMBD101L | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | ON Semiconductor |
889185 | MMBD101L | Кремний горячей перевозчик UNF смеситель диод (барьер Шоттки диод). | Motorola |
889186 | MMBD101LT1 | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | Leshan Radio Company |
889187 | MMBD101LT1 | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | ON Semiconductor |
889188 | MMBD110T1 | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | Leshan Radio Company |
889189 | MMBD110T1 | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | Motorola |
889190 | MMBD110T1-D | Тип кремния диодов барьера schottky (SBD)
эпитаксиальный плоскостной | ON Semiconductor |
889191 | MMBD1201 | Малые Диоды Сигнала | Fairchild Semiconductor |
889192 | MMBD1201 | ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДИОДЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ | Jinan Gude Electronic Device |
889193 | MMBD1201_D87Z | Высокий Диод Електропроводимостьи Ультра Быстрый | Fairchild Semiconductor |
889194 | MMBD1201_NL | Высокий Диод Електропроводимостьи Ультра Быстрый | Fairchild Semiconductor |
889195 | MMBD1202 | ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДИОДЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ | Jinan Gude Electronic Device |
889196 | MMBD1202 | Высокая проводимость Ультра быстрый диод | Fairchild Semiconductor |
889197 | MMBD1203 | Малые Диоды Сигнала | Fairchild Semiconductor |
889198 | MMBD1203 | ПОВЕРХНОСТНЫЕ ДИОДЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ | Jinan Gude Electronic Device |
889199 | MMBD1203_D87Z | Высокий Диод Електропроводимостьи Ультра Быстрый | Fairchild Semiconductor |
889200 | MMBD1203_L99Z | Высокий Диод Електропроводимостьи Ультра Быстрый | Fairchild Semiconductor |
| | | |